一、核心功能與工藝定位
濕法去膠機是半導體制造前道工藝（如光刻、刻蝕）與后道封裝環節的重要設備，主要用于去除晶圓表面的光刻膠（Photoresist）。其通過化學溶劑溶解、超聲振動或噴淋沖洗等物理化學結合的方式，高效清除殘留膠體及衍生物，確保晶圓表面潔凈度滿足后續制程要求。在制程中，去膠效果直接影響圖形轉移精度、層間附著力及電學性能，是保障芯片良率的關鍵步驟。

二、技術原理與分類

化學溶劑體系

有機溶劑：常用N-甲基吡咯烷酮（NMP）、丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或臭氧水（環保型），通過溶解光刻膠的聚合物鏈實現去除。

添加劑調控：加入表面活性劑增強潤濕性，或通過pH調節控制腐蝕速率（如針對含金屬的光刻膠）。

去膠方式

浸泡式：晶圓浸入溶劑槽，適用于小尺寸或低產能需求，但易受污染。

噴淋式：高壓噴淋實現均勻覆蓋，適合大尺寸晶圓（如12英寸），配合旋轉晶舟提升邊緣清洗效果。

超聲波輔助：兆聲波（1-3MHz）空化效應增強膠體剝離，用于頑固膠渣或高深寬比結構。

三、關鍵性能指標

四、應用場景與工藝挑戰

前段光刻工藝：需去除正性或負性光刻膠，避免殘留導致圖形畸變或刻蝕不均。

后端封裝環節：去除切割后芯片表面的保護膠，防止封裝界面分層。

制程難點：

高深寬比結構：如FinFET器件的狹窄溝槽，需兆聲波+化學腐蝕協同處理。

低k介質兼容性：去膠液需避免損傷多孔低介電材料（如SiOC）。

環保壓力：傳統NMP溶劑毒性高，推動水性或生物降解溶劑研發。