濕法去膠液的比例需根據光刻膠類型、基底材料、工藝要求和設備性能等因素綜合調整。以下是關鍵參數及建議范圍：

一、核心影響因素

光刻膠類型

正性光刻膠（如AZ系列）：常用TMAH（四甲基氫氧化銨）或堿性水溶液，濃度較低（5%~10%）。

負性光刻膠（如SU-8）：需更高濃度堿性溶液或特定溶劑（如PGME、NMP），濃度可能達10%~20%。

特殊膠體（如耐高溫膠）：可能需要混合酸/堿或添加增效劑。

基底材料

硅片/玻璃：耐受強堿，可提高濃度（如TMAH 10%~15%）以加速去膠。

金屬基底（如Al、Cu）：需降低濃度（如TMAH 5%~8%），避免腐蝕。

鍍膜層（如SiO?、SiN?）：需控制pH值（如pH 9~11）防止薄膜損傷。

工藝目標

高潔凈度：適當提高濃度或延長處理時間（如10% TMAH + 20分鐘）。

快速去膠：增加濃度（如15% TMAH）或溫度（40℃~60℃），但需平衡基底安全性。

二、典型去膠液配比方案

三、調整比例的實驗方法

初步測試

按光刻膠廠商推薦比例（如TMAH 10%）進行小批量試驗，觀察去膠速度和殘留情況。

使用橢偏儀或AFM檢測殘留厚度，確保＜1 nm（原子級潔凈）。

優化濃度

濃度過高：去膠快但易腐蝕基底或導致表面粗糙度增加。

濃度過低：去膠需延長時間（可能引入污染）。

調整策略：以1%為步長增減濃度，對比潔凈度與基底損傷程度。

溫度與時間協同

升高溫度（如從30℃→50℃）可降低所需濃度（如TMAH從10%→8%），但需防止基底氧化或膜層剝離。

添加劑作用

表面活性劑（如非離子型）：增強潤濕性，減少氣泡殘留。

緩蝕劑（如鉬酸鈉）：在金屬基底場景下保護鋁/銅不被腐蝕。

螯合劑（如EDTA）：防止金屬離子污染清洗液。

四、實際應用案例

半導體晶圓去膠

配方：TMAH 10% + 表面活性劑0.1% + 去離子水。

工藝：噴淋壓力0.5 bar，溫度40℃，時間15分鐘。

效果：正膠去除，硅片表面粗糙度Ra＜0.5 nm。

光伏電池片清洗

配方：KOH 2% + 檸檬酸緩沖劑（pH 10）。

工藝：浸泡處理，常溫，20分鐘。

優勢：低成本，兼容量產線。

PCB板去膠

配方：NMP 60% + 丙二醇甲醚40%。

工藝：超聲波清洗（40kHz），60℃，10分鐘。

注意：需通風處理揮發性有機物（VOCs）。

五、注意事項

安全操作

強堿性溶液（如TMAH）需佩戴防護裝備，避免皮膚接觸。

有機溶劑（如NMP）需在防爆環境中使用，并回收廢液。

廢液處理

堿性廢液：中和至pH 7~9后排放，符合COD標準。

有機溶劑：蒸餾回收或委托專業機構處理。

設備兼容性

確認清洗槽材質（如PFA、PTFE）耐化學腐蝕，密封件抗溶劑溶脹。

濕法去膠液的比例需通過實驗驗證，平衡去膠效率、基底安全性和成本。建議從廠商推薦比例入手，逐步優化濃度、溫度和時間，并配合添加劑實現定制化工藝。