去膠能力

定義：單位時間內去除光刻膠的厚度或面積（如μm/min或cm2/min）。

影響因素：化學藥劑濃度、溫度、噴淋壓力、處理時間。

典型值：正膠（AZ系列）去膠速度約0.1~0.5μm/min，負膠（SU-8）可能更低。

潔凈度

定義：殘留光刻膠量或顆粒物尺寸（如AFM、橢偏儀檢測）。

標準：通常要求殘留＜1 nm（原子級潔凈）或顆粒＜0.1 μm（SEM觀測）。

關鍵參數：清洗液純度、超聲波功率、機械攪拌強度。

均勻性

定義：硅片表面去膠速率的一致性（如±5%以內）。

控制方法：噴淋系統對稱性設計、流體動力學仿真優化、旋轉托盤速度。

處理容量

定義：單次可處理的硅片數量（如25片/批）或基片尺寸（如兼容4/6/8英寸晶圓）。

擴展性：設備是否支持多尺寸混批處理（如4寸與6寸混合）。

二、設備運行參數

溫度控制

范圍：常溫~100℃（高溫加速反應，但需避免基底損傷）。

精度：±1℃（確保化學反應速率穩定）。

化學藥劑管理

濃度控制：自動配比（如TMAH濃度5%~10%），實時監測并補充。

流量與壓力：噴淋流量誤差＜±5%，壓力可調（0.1~1 bar）。

處理時間

范圍：幾分鐘~半小時，可編程設置多段工藝步驟（預洗→主洗→漂洗）。

超聲波頻率

典型值：40kHz~1MHz，高頻用于精細結構去膠，低頻針對厚膠層。

三、設備安全性與環保指標

化學兼容性

材質要求：清洗槽（PFA、PTFE、不銹鋼）、密封件（耐腐蝕FKM橡膠）。

抗腐蝕性：可耐受強堿（如TMAH）、有機溶劑（如NMP、PGME）。

廢氣處理

排放標準：VOCs去除率＞95%，配備活性炭過濾或催化燃燒裝置。

監控參數：排氣風量（如500~2000 m3/h）、負壓控制（防止泄漏）。

廢液處理

分離技術：酸堿中和、超濾回收溶劑、重金屬沉淀（如含鉛焊點清洗）。

排放指標：COD＜100 mg/L，pH中性，符合ROHS/REACH法規。

四、自動化與智能化指標

人機界面（HMI）

觸摸屏編程，支持工藝參數存儲與調用（如Recipe管理≥100組）。

在線監測功能

實時檢測參數：pH值、電導率、濁度、溫度、液位。

異常報警：藥劑不足、過濾器堵塞、噴淋臂堵塞。

數據追溯

記錄每批次工藝參數（時間、溫度、濃度）、硅片編號（二維碼/RFID）。

遠程控制

支持MES系統對接，實現工藝參數遠程監控與故障診斷。

五、維護與可靠性指標

設備稼動率

目標值：＞95%（運行時間占比）。

易損件壽命

噴淋頭更換周期：≥500小時；超聲波換能器壽命：≥2000小時。

清潔便利性

模塊化設計（如可拆卸噴嘴、快速排空閥），支持CIP（原位清洗）。