在半導體制造流程中，硅片腐蝕清洗設備承擔著表面污染物去除、材料改性與結構優化的核心任務，是確保芯片性能與良率的關鍵環節。其工藝覆蓋濕法化學腐蝕、干法刻蝕、超聲波清洗及等離子體處理等多種技術，需根據硅片類型（如單晶硅、多晶硅）、污染源（氧化物、金屬殘留、光刻膠）及下游制程需求（如CMOS、MEMS、功率器件）定制化設計。以下從技術原理、核心功能、設備特點及行業應用等方面展開詳細闡述。

一、技術原理與工藝分類

濕法化學腐蝕

HF腐蝕：去除硅氧化物（SiO?），用于柵極氧化層制備或TSV（硅通孔）清潔。

KOH/TMAH各向異性腐蝕：用于硅片減薄或微結構成型（如MEMS腔體）。

SC-1/SC-2清洗：通過硫酸-雙氧水（SC-1）或鹽酸-雙氧水（SC-2）去除有機物與金屬污染。

原理：利用酸性或堿性化學液與硅片表面發生化學反應，去除氧化層（如SiO?）、金屬污染或殘留膜。

典型工藝：

優勢：成本低、對復雜圖形兼容性好，但需精確控制濃度、溫度與時間以避免過度腐蝕。

干法刻蝕（等離子體腐蝕）

深硅刻蝕（Deep Reactive Ion Etching, RIE）：用于TSV、溝槽電容等高精度結構。

表面改性：如氮化硅（Si?N?）或氧化硅（SiO?）薄膜的可控去除。

原理：通過輝光放電產生活性自由基（如CF?、Cl?），定向去除硅片表面材料。

應用：

優勢：各向異性強、精度達納米級，但設備成本高且需解決電荷積累問題。

超聲波/兆聲波清洗

光刻膠剝離后清洗（配合DMF或NMP溶劑）。

研磨后磨料顆粒清除（如金剛石漿料殘留）。

原理：高頻振動（40kHz~1MHz）產生空化效應，剝離硅片表面顆粒與薄膜殘留。

場景：

優勢：非接觸式清潔，適用于脆弱結構（如薄硅片、3D封裝載具）。

等離子體清洗

去除光刻膠殘渣（灰化工藝）。

激活硅片表面以提高鍵合或沉積附著力。

原理：通過O?、Ar等氣體放電生成等離子體，利用物理轟擊與化學還原雙重作用去除污染物。

典型應用：

優勢：無液體殘留，適合怕濕潤的敏感工藝（如EUV光罩清潔）。

二、核心功能與設備架構

多功能集成系統

多工藝模塊：支持濕法、干法、超聲及等離子工藝的靈活切換，適應不同清洗需求。

自動化控制：PLC編程實現溫度、壓力、流量等參數的實時監控與調節，確保工藝一致性。

在線監測：集成顆粒計數器、光譜分析儀等，實時檢測清洗液純度與硅片潔凈度。

精密流體路徑設計

噴淋與浸沒式清洗：均勻覆蓋硅片表面，避免局部腐蝕或清洗盲區。

化學液回收系統：二級過濾（0.1μm~0.5μm濾芯）與蒸餾再生，降低耗材成本。

DI水沖洗單元：多級逆流漂洗，確保無化學殘留（電阻率>18.2MΩ·cm）。

干燥技術

IPA（異丙醇）置換干燥：通過IPA替換水后快速揮發，避免水痕與氧化。

真空烘干：低溫（<60℃）處理，防止熱敏感材料（如低k介質）損傷。

離心干燥：高速旋轉（2000~5000rpm）甩干水分，適用于大尺寸硅片。

三、設備特點與行業價值

高精度與均勻性

腐蝕速率均勻性誤差<±5%，保障硅片平整度（如Global Flatness <5μm）。

適用于制程（如5nm以下節點）的納米級清潔需求。

高效產能

批量處理能力：單次可清洗25~50片硅片（視型號而定），周期時間<30分鐘。

兼容自動化產線（如與光刻機、鍍膜機聯動），提升生產效率。

材料兼容性

支持多種硅片材質（單晶、多晶、SOI）、尺寸（4~12英寸）及表面結構（圖形化/非圖形化）。

針對不同工藝段（如研磨后、蝕刻后、封裝前）提供定制化方案。

環保與安全

封閉式化學柜設計，避免HF、HNO?等危險氣體泄漏。

廢液處理系統：中和反應+固液分離，符合RoHS與環保法規。

四、應用場景與未來趨勢

主流應用領域

邏輯芯片：EUV光罩清潔、GAA（環繞柵極）結構腐蝕。

存儲芯片：3D NAND TSV硅通孔清洗、DRAM電容凹槽刻蝕。

功率器件：SiC/GaN外延片表面預處理，提升鈍化層附著力。

MEMS/傳感器：腔體釋放前的犧牲層去除（如KOH腐蝕）。

技術發展趨勢

智能化升級：AI算法優化腐蝕參數（如根據硅片厚度自動調整HF濃度）。

綠色工藝：開發無氟環保腐蝕液（如檸檬酸替代HF）與低能耗干燥技術。

下一代材料支持：適配SiC、GaN等寬禁帶半導體的腐蝕性清洗需求。

硅片腐蝕清洗設備不僅是半導體制造的“清潔工”，更是工藝良率與性能的“守門人”。其技術迭代方向始終圍繞更高精度、更高能效、更強材料兼容性展開，未來隨著chiplet（芯粒封裝）、3D集成等技術普及，設備需進一步突破異質集成中的跨材料清洗難題，為半導體產業持續護航