半導(dǎo)體HPC清洗機(jī)專為制程芯片制造需求設(shè)計(jì)，聚焦納米級(jí)顆粒控制、金屬殘留去除及表面氧化層處理，適用于5nm以下邏輯芯片、3D NAND、HBM等器件的前道清洗工藝。該設(shè)備集成濕法化學(xué)清洗、兆聲波空化、等離子體活化等多模塊技術(shù)，通過智能化流體控制與自動(dòng)化流程管理，實(shí)現(xiàn)晶圓表面潔凈度提升至<0.1nm粗糙度與<0.01μm2顆粒密度，半導(dǎo)體HPC清洗機(jī)為光刻、蝕刻等關(guān)鍵制程提供超凈表面基礎(chǔ)，顯著提升良品率與性能穩(wěn)定性。

核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)

復(fù)合式清洗模式

兆聲波空化技術(shù)（SAP）：采用高頻（>1MHz）聲波場(chǎng)，精準(zhǔn)剝離<10nm顆粒，避免機(jī)械損傷，適用于敏感結(jié)構(gòu)（如FinFET器件）。

等離子體預(yù)處理：通過O?/Ar等離子體轟擊，高效分解光刻膠殘留及有機(jī)污染物，表面活化能提升后續(xù)清洗液浸潤(rùn)效果。

化學(xué)濕法定制：支持SC-1（H?SO?/H?O?）、SC-2（NH?OH/H?O?）、DHF（稀釋氫氟酸）等配方切換，兼容不同材質(zhì)（Si、SiC、GaAs）的腐蝕與去氧化需求。

精密流體控制系統(tǒng)

動(dòng)態(tài)液膜分布技術(shù)：噴淋臂三維運(yùn)動(dòng)軌跡結(jié)合渦旋流控算法，實(shí)現(xiàn)清洗液均勻覆蓋，消除晶圓邊緣效應(yīng)。在線監(jiān)測(cè)與閉環(huán)調(diào)節(jié)：實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電導(dǎo)率、pH值及顆粒濃度，AI算法自動(dòng)調(diào)整化學(xué)液配比與沖洗時(shí)間，降低耗材浪費(fèi)。

超潔凈干燥工藝

低溫旋干技術(shù)：利用Marangoni效應(yīng)快速揮發(fā)水分，結(jié)合N?/IPA（異丙醇）雙介質(zhì)置換，避免水痕與氧化物殘留。

潔凈室級(jí)密封設(shè)計(jì)：腔體采用電解拋光316L不銹鋼，配備HEPA過濾單元（0.1μm截留率），防止二次污染。

智能化與自動(dòng)化特性

無人值守操作：全自動(dòng)機(jī)械臂完成上料、清洗、干燥及下料，支持24小時(shí)連續(xù)運(yùn)行。

數(shù)據(jù)追溯系統(tǒng)：每片晶圓的清洗參數(shù)（溫度、流速、時(shí)間）及潔凈度檢測(cè)數(shù)據(jù)自動(dòng)存檔，符合ISO/SEMI標(biāo)準(zhǔn)。

遠(yuǎn)程運(yùn)維支持：設(shè)備狀態(tài)實(shí)時(shí)上傳至云端平臺(tái)，支持故障預(yù)警與工藝參數(shù)遠(yuǎn)程優(yōu)化。

環(huán)保與經(jīng)濟(jì)性設(shè)計(jì)

廢液循環(huán)處理：內(nèi)置三級(jí)過濾系統(tǒng)（UF+RO+離子交換），回收率達(dá)90%，降低危廢處理成本。

節(jié)能模式：待機(jī)時(shí)自動(dòng)進(jìn)入低功耗狀態(tài)，化學(xué)液加熱采用PID恒溫控制，減少能源消耗。

模塊化適配：可根據(jù)產(chǎn)線需求靈活配置單片/批式清洗模塊，兼容2-12英寸晶圓，降低企業(yè)設(shè)備迭代成本