國產電子束光刻利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影復印圖形的光刻技術。電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物。經過電子束掃描過的電子抗蝕劑發生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發生化學性質改變，經過顯影和定影，獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形。現代的電子束光刻設備已經能夠制作小于10納米的精細線條結構，也可制作光學掩模版。

國產電子束光刻主要功能：曝光速度快精度高，可采用大寫場大束流進行曝光，適用于科研及小批量生產中使用；自動化程度高，除了放樣取樣外，整個曝光過程只需要編輯曝光的相關參數，其他過程均可自動完成。

盡管電子束光刻具有高分辨率，但用戶通常不考慮在電子束光刻過程中產生缺陷。缺陷可以分為兩類：與數據相關的缺陷和物理缺陷。

與數據有關的缺陷可以進一步分為兩個子類別。當電子束原本應該正確偏轉時，會發生消隱或偏轉錯誤；而當將錯誤形狀投射到樣品上時，在可變形狀的電子束系統中會發生成形錯誤。這些錯誤可能源自電子光學控制硬件，也可能源自錄音帶。可以預期，較大的數據文件更容易受到與數據相關的缺陷的影響。

物理缺陷變化更大，可能包括樣品帶電（正電荷或負電荷），反向散射計算誤差、劑量誤差、霧化（反向散射電子的遠距離反射）、除氣、污染、電子束漂移和粒子。由于電子束光刻的寫入時間很容易超過一天，因此“隨機發生”的缺陷更有可能發生。同樣，較大的數據文件可能會帶來更多的缺陷機會。