化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)用儀器>薄膜生長(zhǎng)設(shè)備>原子層沉積設(shè)備> NLD-3500（A）全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備
NLD-3500（A）全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備
- 公司名稱(chēng) 那諾中國(guó)有限公司
- 品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/4/28 9:13:50
- 訪問(wèn)次數(shù) 4734
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ALD，PECVD，RIE，磁控濺射，熱蒸鍍，電子束，離子束，晶圓清洗機(jī)，PA-MOCVD，飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS）
| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子/電池,制藥/生物制藥 |
NLD-3500(A)全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
NLD-3500(A)全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備特點(diǎn)：NLD-3500（A）是一款全自動(dòng)獨(dú)立的PC計(jì)算機(jī)控制的ALD原子層沉積系統(tǒng)，帶Labview軟件，具備四級(jí)密碼控制的用戶授權(quán)保護(hù)功能。系統(tǒng)為全自動(dòng)的安全互鎖設(shè)計(jì)，并提供了強(qiáng)大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。應(yīng)用領(lǐng)域包含半導(dǎo)體、光伏、MEMS等。NLD-3500（A）系統(tǒng)提供12”的鋁質(zhì)反應(yīng)腔體，帶有加熱腔壁和氣動(dòng)升降頂蓋，非常方便腔體的訪問(wèn)和清潔。該系統(tǒng)擁有一個(gè)載氣艙包含多達(dá)7個(gè)50ml的加熱汽缸，用于前驅(qū)體以及反應(yīng)物，同時(shí)帶有N2或者Ar作為運(yùn)載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。
NLD-3500（A）選配：NLD-3500（A）系統(tǒng)的選配項(xiàng)包含，ICP離子源(用于等離子增強(qiáng)的PEALD)，臭氧發(fā)生器，等等。
NLD-3500（A）應(yīng)用：
- Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etc
- Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
- Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應(yīng)用.
- Nano laminates納米復(fù)合材料
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