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半導(dǎo)體預(yù)清洗機(jī) 濕法清洗

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 蘇州芯矽電子科技有限公司
  • 品牌 芯矽科技
  • 型號
  • 產(chǎn)地 工業(yè)園區(qū)江浦路41號
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2025/4/22 13:30:52
  • 訪問次數(shù) 76

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芯矽科技是一家專注半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造公司,主要提供實(shí)驗(yàn)室研發(fā)級到全自動量產(chǎn)級槽式清洗機(jī),單片清洗機(jī),高純化學(xué)品/研磨液供應(yīng)回收系統(tǒng)及工程,公司核心產(chǎn)品12寸全自動晶圓化學(xué)鍍設(shè)備,12寸全自動爐管/ Boat /石英清洗機(jī)已占據(jù)行業(yè)主導(dǎo)地位,已經(jīng)成功取得長江存儲,中芯國際,重慶華潤,上海華虹,上海積塔,上海格科,廣東粵芯,青島芯恩,廈門士蘭,南通捷捷,湖南楚微等主流8寸12寸Fab產(chǎn)線訂單,我們致力于為合作伙伴提供適合你的解決方案。


導(dǎo)體濕法設(shè)備

半導(dǎo)體預(yù)清洗機(jī)是晶圓制造前道工藝中的關(guān)鍵設(shè)備,專為去除硅片表面微粒污染、有機(jī)物殘留、氧化層及金屬雜質(zhì)而設(shè)計(jì)。本設(shè)備通過集成濕法化學(xué)清洗、兆聲波空化、等離子體活化等多模塊技術(shù),實(shí)現(xiàn)納米級潔凈度控制,為光刻、蝕刻、沉積等后續(xù)制程提供超凈表面基礎(chǔ),顯著提升芯片良品率與性能穩(wěn)定性。

核心技術(shù)優(yōu)勢

復(fù)合式清洗模式

兆聲波空化技術(shù)(SAP):采用高頻(>1MHz)聲波場,精準(zhǔn)剝離<10nm顆粒,避免機(jī)械損傷,適用于敏感結(jié)構(gòu)(如FinFET器件)。

等離子體預(yù)處理:通過O?/Ar等離子體轟擊,高效分解光刻膠殘留及有機(jī)污染物,表面活化能提升后續(xù)清洗液浸潤效果。

化學(xué)濕法定制:支持SC-1(H?SO?/H?O?)、SC-2(NH?OH/H?O?)、DHF(稀釋氫氟酸)等配方切換,兼容不同材質(zhì)(Si、SiC、GaAs)的腐蝕與去氧化需求。

半導(dǎo)體預(yù)清洗機(jī) 濕法清洗

精密流體控制系統(tǒng)

動態(tài)液膜分布技術(shù):噴淋臂三維運(yùn)動軌跡結(jié)合渦旋流控算法,實(shí)現(xiàn)清洗液均勻覆蓋,消除晶圓邊緣效應(yīng)。

在線監(jiān)測與閉環(huán)調(diào)節(jié):實(shí)時監(jiān)測電導(dǎo)率、pH值及顆粒濃度,AI算法自動調(diào)整化學(xué)液配比與沖洗時間,降低耗材浪費(fèi)。

超潔凈干燥工藝

低溫旋干技術(shù):利用Marangoni效應(yīng)快速揮發(fā)水分,結(jié)合N?/IPA(異丙醇)雙介質(zhì)置換,避免水痕與氧化物殘留。

潔凈室級密封設(shè)計(jì):腔體采用電解拋光316L不銹鋼,配備HEPA過濾單元(0.1μm截留率),防止二次污染。

智能化與自動化特性

無人值守操作:全自動機(jī)械臂完成上料、清洗、干燥及下料,支持24小時連續(xù)運(yùn)行。

數(shù)據(jù)追溯系統(tǒng):每片晶圓的清洗參數(shù)(溫度、流速、時間)及潔凈度檢測數(shù)據(jù)自動存檔,符合ISO/SEMI標(biāo)準(zhǔn)。

遠(yuǎn)程運(yùn)維支持:設(shè)備狀態(tài)實(shí)時上傳至云端平臺,支持故障預(yù)警與工藝參數(shù)遠(yuǎn)程優(yōu)化。

環(huán)保與經(jīng)濟(jì)性設(shè)計(jì)

廢液循環(huán)處理:內(nèi)置三級過濾系統(tǒng)(UF+RO+離子交換),回收率達(dá)90%,降低危廢處理成本。

節(jié)能模式:待機(jī)時自動進(jìn)入低功耗狀態(tài),化學(xué)液加熱采用PID恒溫控制,減少能源消耗。

模塊化適配:可根據(jù)產(chǎn)線需求靈活配置單片/批式清洗模塊,兼容2-12英寸晶圓,降低企業(yè)設(shè)備迭代成本。

應(yīng)用場景與行業(yè)價值

本設(shè)備廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、3D NAND閃存、功率半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體(如GaN、SiC)制造環(huán)節(jié),尤其適用于:

光刻前硅片表面有機(jī)物去除

蝕刻后聚合物殘留清洗

TSV(硅通孔)工藝中的深槽清潔

封裝中的臨時鍵合劑剝離

通過提升晶圓表面潔凈度至<0.1nm粗糙度與<0.01μm2顆粒密度,可減少50%以上的電參數(shù)漂移問題,助力客戶突破5nm以下制程良率瓶頸。



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