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400-820-5046
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2025
04-022025
03-31多重四級桿電感耦合等離子體質譜儀 (NexION 5000)對 9.8% 硫酸的分析
1.前言在半導體工藝中，硫酸（Sulfuricacid,H2SO4）與過氧化氫等氧化劑一同用于去除晶片加工工藝（該工藝采用高分子有機成分）后，表面殘留的有機成分，且根據所采用的工藝特性，需要所含的無機雜質含量低于ppt（萬億分之一）級別的超高純度產品。目前國內半導體工藝中使用的硫酸產品為含量為96~98%，其無機成分雜質含量級別約為10ppt左右。對這種超高純度硫酸中所含的無機成分超痕量分析時，應用普遍的是電感耦合質譜儀(InductivelyCoupledPlasma-MassSpectrom2025
03-282025
03-272025
03-262025
03-262025
03-252025
03-242025
03-202025
03-19NexION 5000 ICP-MS測試硝酸稀釋液中超痕 量的磷、硫、硅及碘
1.前言采用PerkinElmer的UCT技術（通用池技術），進一步強化DRC（動態反應池）功能的NexION5000ICP-MS是目前既先進，性能優異的，市面上多重四級桿ICP-MS（QQQQ）。不僅用于控制多原子干擾，還有比其他串接四級桿更強大的質量轉移分析功能，適用于特殊的應用。本應用利用NexION5000QQQQ-ICP-MS，確認在硝酸介質中磷、硫、硅、氯、砷、硒、溴、碘等非金屬性元素的檢測能力。上述元素的檢測在普通ICP-MS系統中比較困難，因為去離子水和硝酸稀釋液中的氮、氧、碳成2025
03-18利用NexION 2000 ICP-MS對半導體級鹽酸中的雜質進行分析
引言在半導體設備的生產過程中，許多流程中都要用到各種酸類試劑。其中最重要的是鹽酸（HCl），其主要用途是與過氧化氫和水配制成混合物用來清潔硅晶片的表面。由于半導體設備尺寸不斷縮小，其生產中使用的試劑純度變得越來越重要，這是因為即使是少量雜質也會導致設備的失效。國際SEMI標準規定的是金屬雜質的最大濃度（SEMI標準C27-07081用于鹽酸），而半導體設備的生產商對雜質濃度的要求往往更加嚴格，這樣就給試劑供應商帶來了更大的挑戰。其結果是，分析儀器也必須能夠對更低濃度的雜質成分精確檢測。電感耦合等2025
03-172025
03-17利用單顆粒ICP-MS在反應模式下測定半導體有機溶劑中的 含鐵納米顆粒
簡介半導體產品中的金屬污染使產品品質降低。半導體寬度越小，對金屬污染物的容忍度越低。最常見的金屬污染是過渡金屬元素和堿金屬元素。過渡金屬元素往往遍布半導體材料中并在表面形成多多種氧化物，其中鐵是最常見的污染物。單顆粒ICP-MS已成為納米顆粒分析的一種常規手段，采用不同的進樣系統，能在100-1000顆粒數每毫升的極低濃度下對納米顆粒進行檢測、計數和表征。除了顆粒信息，單顆粒ICP-MS還可以在未經前級分離的情況下檢測溶解態元素濃度1。許多文獻表明單顆粒ICP-MS可以在各種基質條件下對納米顆粒2025
03-142025
03-13NexION 300S ICP-MS測定半導體級硝酸中的雜質
引言目前，由于半導體器件在設計時都選擇更小的線寬，因此就更容易受到低濃度雜質的影響。在半導體工業中，硝酸（HNO3）被廣泛用來與氫氟酸（HF）配制混酸，改變限擴散或限速率的蝕刻。這兩種酸配成的混酸常被用于蝕刻和在前端處理中暴露臨界層。在這一階段，實際的設備（包括晶體管和電阻器）被創建。一個典型的前端處理主要包括以下幾個步驟：晶片表面的制備、二氧化硅（SiO2）的增長、模式化和后續注入或擴散添加劑以獲得所需的電性能、柵介質的增長或沉積，以及蝕刻。任何金屬雜質的存在都將對IC器件的可靠性產生不利影響2025
03-12NexION 300S ICP-MS測定半導體級硫酸中的雜質
前言制造半導體器件包括在基板上形成一個犧牲層。通常，犧牲層由一個圖形化的光阻層組成，這樣就可以使離子注入基板，之后再用一種濕式蝕刻溶液來消除圖形化的光阻層。通常情況下，蝕刻液由硫酸（H2SO4）和過氧化氫（H2O2）配制而成，也被稱為食人魚或臭氧硫酸。由于是與其他化學物質一起使用的，任何金屬雜質的引入都將會對IC器件的可靠性產生不利影響，因此需要使用的硫酸具有高純度和高質量。SEMI標準C44-0708對硫酸中的金屬污染物按元素和等級規定了最大允許濃度。由于具有快速測定各種工藝化學品中超痕量濃度2025
03-122025
03-11NexION 300S ICP-MS測定半導體 級TMAH中的雜質
前言：四甲基氫氧化銨（TMAH）是一種廣泛用于半導體光刻工藝和液晶顯示器（LCD）生產中形成酸性光阻的基本溶劑。由于其在此類高要求應用中的廣泛使用，使得對TMAH純度的檢測變得越來越重要。SEMI標準C46-03061規定濃度為25%的TMAH溶液中各元素污染物低于100ppb。然而，通常使用的都不是TMAH的濃溶液，實際上使用的TMAH溶液濃度絕大多數都在1-3%之間。由于具有快速測定各種工藝化學品中超痕量濃度（ng/L或萬億分之）待測元素的能力，電感耦合等離子體質譜儀（ICP-MS）已成為了2025
03-102025
03-07Avio 200 ICP-OES微波制樣方案滿足危害性物質 限制（RoHS）指令要求
簡介隨著人們對電子產品的依賴程度越來越高，各大廠商開始不斷開發具有新功能的產品，這使得消費者日趨頻繁地對電子產品進行更新換代，電子產品的壽命也變得越來越短，而這也導致需要處理的廢棄電子產品數量不斷上升，盡管人們已經開始實施并大力推廣電子產品回收計劃。電子產品中包含許多組件，一旦被丟棄，產品中的金屬極可能會進入環境中。其中最令人擔憂的有毒金屬包括鎘（Cd）、鉻（Cr，主要是六價鉻[CrVI]）、汞（Hg）和鉛（Pb）。為了解決這一問題，危害性物質限制（RoHS）指令規定了鎘、六價鉻、汞和鉛在每種電掃一掃訪問手機商鋪
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