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400-820-5046
17
2025
03-31多重四級桿電感耦合等離子體質(zhì)譜儀 (NexION 5000)對 9.8% 硫酸的分析
1.前言在半導體工藝中，硫酸（Sulfuricacid,H2SO4）與過氧化氫等氧化劑一同用于去除晶片加工工藝（該工藝采用高分子有機成分）后，表面殘留的有機成分，且根據(jù)所采用的工藝特性，需要所含的無機雜質(zhì)含量低于ppt（萬億分之一）級別的超高純度產(chǎn)品。目前國內(nèi)半導體工藝中使用的硫酸產(chǎn)品為含量為96~98%，其無機成分雜質(zhì)含量級別約為10ppt左右。對這種超高純度硫酸中所含的無機成分超痕量分析時，應用普遍的是電感耦合質(zhì)譜儀(InductivelyCoupledPlasma-MassSpectrom2025
03-282025
03-272025
03-262025
03-262025
03-25TMA 4000 在電子工業(yè)領域中使用標準測試方法的應用
背景：電子線路板的主要破壞原因之一是由熱膨脹引起的問題。要防止這種情況發(fā)生，電子工程師采用熱導體來發(fā)散熱量，用低膨脹性材料來配合低膨脹率的硅片和陶瓷絕緣體的使用。熱機械分析(TMA)長期以來應用于測量線路板、電子元件和組成材料的熱膨脹(CTE)。針對玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、熱膨脹系數(shù)變化的點、樣品軟化和應力釋放效應的發(fā)生，已經(jīng)建立起成熟可靠的標準測試方法。對于層狀復合產(chǎn)品，TMA相應的測試方法可以確定在評估升溫過程中材料的分層所需時間。TMA4000的設計大大簡化了上述測試過程，非常適用于測量低膨脹率的2025
03-242025
03-202025
03-19NexION 5000 ICP-MS測試硝酸稀釋液中超痕 量的磷、硫、硅及碘
1.前言采用PerkinElmer的UCT技術(shù)（通用池技術(shù)），進一步強化DRC（動態(tài)反應池）功能的NexION5000ICP-MS是目前既先進，性能優(yōu)異的，市面上多重四級桿ICP-MS（QQQQ）。不僅用于控制多原子干擾，還有比其他串接四級桿更強大的質(zhì)量轉(zhuǎn)移分析功能，適用于特殊的應用。本應用利用NexION5000QQQQ-ICP-MS，確認在硝酸介質(zhì)中磷、硫、硅、氯、砷、硒、溴、碘等非金屬性元素的檢測能力。上述元素的檢測在普通ICP-MS系統(tǒng)中比較困難，因為去離子水和硝酸稀釋液中的氮、氧、碳成2025
03-18利用NexION 2000 ICP-MS對半導體級鹽酸中的雜質(zhì)進行分析
引言在半導體設備的生產(chǎn)過程中，許多流程中都要用到各種酸類試劑。其中最重要的是鹽酸（HCl），其主要用途是與過氧化氫和水配制成混合物用來清潔硅晶片的表面。由于半導體設備尺寸不斷縮小，其生產(chǎn)中使用的試劑純度變得越來越重要，這是因為即使是少量雜質(zhì)也會導致設備的失效。國際SEMI標準規(guī)定的是金屬雜質(zhì)的最大濃度（SEMI標準C27-07081用于鹽酸），而半導體設備的生產(chǎn)商對雜質(zhì)濃度的要求往往更加嚴格，這樣就給試劑供應商帶來了更大的挑戰(zhàn)。其結(jié)果是，分析儀器也必須能夠?qū)Ω蜐舛鹊碾s質(zhì)成分精確檢測。電感耦合等2025
03-172025
03-17利用單顆粒ICP-MS在反應模式下測定半導體有機溶劑中的 含鐵納米顆粒
簡介半導體產(chǎn)品中的金屬污染使產(chǎn)品品質(zhì)降低。半導體寬度越小，對金屬污染物的容忍度越低。最常見的金屬污染是過渡金屬元素和堿金屬元素。過渡金屬元素往往遍布半導體材料中并在表面形成多多種氧化物，其中鐵是最常見的污染物。單顆粒ICP-MS已成為納米顆粒分析的一種常規(guī)手段，采用不同的進樣系統(tǒng)，能在100-1000顆粒數(shù)每毫升的極低濃度下對納米顆粒進行檢測、計數(shù)和表征。除了顆粒信息，單顆粒ICP-MS還可以在未經(jīng)前級分離的情況下檢測溶解態(tài)元素濃度1。許多文獻表明單顆粒ICP-MS可以在各種基質(zhì)條件下對納米顆粒2025
03-14NexION 300S ICP-MS測定硅晶 片中的雜質(zhì)
引言控制硅基半導體器件中的雜質(zhì)含量是至關(guān)重要的，因為即使是超痕量的雜質(zhì)（包括堿和堿土元素、過渡金屬）都可能會導致器件發(fā)生缺陷，如擊穿電壓或高暗電流。出于質(zhì)量控制的目的，常規(guī)分析的硅主要有兩種類型：體硅和硅晶片表面。對體硅的分析可以使用一種非常強的酸將硅消解，如氫氟酸（HF）。硅晶片表面的分析常用的方法是氣相分解，包括使用極少量的酸（通常是HF）滴一滴在表面收集晶圓表面上的雜質(zhì)。這樣得到的樣品體積通常約為200μL。體硅的分析不存在樣品體積的問題，但是為了盡量減少樣品前處理耗費的時間，還是需要較小2025
03-13NexION 300S ICP-MS測定半導體級硝酸中的雜質(zhì)
引言目前，由于半導體器件在設計時都選擇更小的線寬，因此就更容易受到低濃度雜質(zhì)的影響。在半導體工業(yè)中，硝酸（HNO3）被廣泛用來與氫氟酸（HF）配制混酸，改變限擴散或限速率的蝕刻。這兩種酸配成的混酸常被用于蝕刻和在前端處理中暴露臨界層。在這一階段，實際的設備（包括晶體管和電阻器）被創(chuàng)建。一個典型的前端處理主要包括以下幾個步驟：晶片表面的制備、二氧化硅（SiO2）的增長、模式化和后續(xù)注入或擴散添加劑以獲得所需的電性能、柵介質(zhì)的增長或沉積，以及蝕刻。任何金屬雜質(zhì)的存在都將對IC器件的可靠性產(chǎn)生不利影響2025
03-12NexION 300S ICP-MS測定半導體級硫酸中的雜質(zhì)
前言制造半導體器件包括在基板上形成一個犧牲層。通常，犧牲層由一個圖形化的光阻層組成，這樣就可以使離子注入基板，之后再用一種濕式蝕刻溶液來消除圖形化的光阻層。通常情況下，蝕刻液由硫酸（H2SO4）和過氧化氫（H2O2）配制而成，也被稱為食人魚或臭氧硫酸。由于是與其他化學物質(zhì)一起使用的，任何金屬雜質(zhì)的引入都將會對IC器件的可靠性產(chǎn)生不利影響，因此需要使用的硫酸具有高純度和高質(zhì)量。SEMI標準C44-0708對硫酸中的金屬污染物按元素和等級規(guī)定了最大允許濃度。由于具有快速測定各種工藝化學品中超痕量濃度2025
03-122025
03-11NexION 300S ICP-MS測定半導體 級TMAH中的雜質(zhì)
前言：四甲基氫氧化銨（TMAH）是一種廣泛用于半導體光刻工藝和液晶顯示器（LCD）生產(chǎn)中形成酸性光阻的基本溶劑。由于其在此類高要求應用中的廣泛使用，使得對TMAH純度的檢測變得越來越重要。SEMI標準C46-03061規(guī)定濃度為25%的TMAH溶液中各元素污染物低于100ppb。然而，通常使用的都不是TMAH的濃溶液，實際上使用的TMAH溶液濃度絕大多數(shù)都在1-3%之間。由于具有快速測定各種工藝化學品中超痕量濃度（ng/L或萬億分之）待測元素的能力，電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）已成為了2025
03-10FT-IR自動分析系統(tǒng)測量硅晶圓中的元素雜質(zhì)
引言隨著半導體需求的增加，特別是消費電子產(chǎn)品、汽車以及日益增長的太陽能發(fā)電行業(yè)中硅器件的使用，硅晶圓的產(chǎn)量預計在未來幾年將出現(xiàn)高速增長。硅晶圓的生產(chǎn)目前采用了多種工藝，最常見的兩種是FloatZone（FZ）和Czochralski（CZ）工藝。FZ工藝可以生產(chǎn)高純度硅晶圓，而CZ工藝生產(chǎn)的晶圓相對來說含有更多的元素雜質(zhì)（特別是碳和氧）。然而，與FZ工藝相比，CZ工藝具有一些重要優(yōu)勢，如更好的熱應力特性、制造速度更快、成本更低等。此外，氧雜質(zhì)的存在有一個好處，可起到吸氣劑的作用，可以去除微量金屬2025
03-07Avio 200 ICP-OES微波制樣方案滿足危害性物質(zhì) 限制（RoHS）指令要求
簡介隨著人們對電子產(chǎn)品的依賴程度越來越高，各大廠商開始不斷開發(fā)具有新功能的產(chǎn)品，這使得消費者日趨頻繁地對電子產(chǎn)品進行更新?lián)Q代，電子產(chǎn)品的壽命也變得越來越短，而這也導致需要處理的廢棄電子產(chǎn)品數(shù)量不斷上升，盡管人們已經(jīng)開始實施并大力推廣電子產(chǎn)品回收計劃。電子產(chǎn)品中包含許多組件，一旦被丟棄，產(chǎn)品中的金屬極可能會進入環(huán)境中。其中最令人擔憂的有毒金屬包括鎘（Cd）、鉻（Cr，主要是六價鉻[CrVI]）、汞（Hg）和鉛（Pb）。為了解決這一問題，危害性物質(zhì)限制（RoHS）指令規(guī)定了鎘、六價鉻、汞和鉛在每種電2025
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