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日本ULVAC愛發科半導體SiC 高溫離子注入機
日本ULVAC愛發科半導體SiC 高溫離子注入機
SiC 高溫離子注入機IH-860PSIC
這是配備高溫ESC的用于SiC量產的高能離子注入機。
特征
可自動連續高溫處理注入
可注入高達 350keV 的單價離子和 700keV 的雙電荷離子
(可選支持高達 430keV 的單價離子和 860keV 的雙電荷離子)雙端站實現高吞吐量
(A系統4"高溫電調/B系統3"高溫電調、A系統6"高溫電調/B系統6"常溫電調等,規格可根據客戶需求訂做愿望)可進行鏈條注射,減輕操作員負擔
緊湊型設計
從原型到批量生產,我們提供廣泛的支持。
目的
SiC用離子注入機
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