電漿原子層沉積設備

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北京瑞科中儀科技有限公司專注半導體材料研究分析設備的研發和應用。專業的團隊，專精的服務，提供理想的解決方案。

我們長期專注于半導體材料研究與分析設備的經銷和代理，為高校、企業科研工作者提供專業的分析解決方案。以專業技能為導向，用科技來解決用戶在科研中遇到的難題。專業的技術工程師和科研工作者進行現場演示和技術交流，打消顧慮，彼此協作，為我國的科研領域譜寫新篇章。

北京瑞科中儀科技有限公司長期代理銷售供應多種分子材料的研究分析設備，其中包括但不限于掃描電子顯微鏡、感應耦合等離子體化學氣相沉積系統、離子束刻蝕機、等離子清洗機、物理氣相沉積系統以及各品牌的光學顯微鏡以及實驗室設備儀器。

客戶至上的服務理念，以人為本的企業文化，我們始終為用戶提供專業的服務！

合作丨共贏，選擇我們，選擇未來！

展開

半導體材料分析,材料刻蝕

應用領域	環保,化工,電子/電池

電漿原子層沉積設備（PEALD）是一種基於常規ALD的先進方法，其利用電漿作為裂化前驅物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。製程中只需靠電漿來進行裂化前驅物材料，無需高溫來傳遞必要的活化能。SYSKEY的系統可以精準的控制電漿與ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆+/- 1％。

電漿原子層沉積設備參數：

應用領域	腔體
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽能電池的鈍化層。微機電系統。納米電子學。納米孔結構薄膜。光學薄膜。薄膜封裝技術。	鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達300mm晶圓。優異的薄膜均勻度小於±1％。較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。遠程等離子體電漿源。前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。快速脈衝的氣體輸送閥，反應時間為10毫秒。通過穩定的溫度控制，將基板載盤加熱到800°C。材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。橢圓偏振光譜儀。高真空傳送系統。

應用領域	腔體
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽能電池的鈍化層。微機電系統。納米電子學。納米孔結構薄膜。光學薄膜。薄膜封裝技術。	鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達300mm晶圓。優異的薄膜均勻度小於±1％。較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。遠程等離子體電漿源。前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。快速脈衝的氣體輸送閥，反應時間為10毫秒。通過穩定的溫度控制，將基板載盤加熱到800°C。材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。橢圓偏振光譜儀。高真空傳送系統。