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產(chǎn)品展廳

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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>光學(xué)儀器及設(shè)備>電子顯微鏡>掃描電鏡(SEM)> SEM顯微鏡觀察窗口

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SEM顯微鏡觀察窗口

參考價(jià)200.00
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
產(chǎn)品標(biāo)簽

顯微鏡耗材

規(guī)格
常規(guī)200.00元1000 臺(tái) 可售

聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!


      蘇州原位芯片科技有限責(zé)任公司成立于2015年,由清華大學(xué)和中科院微電子專(zhuān)業(yè)人士共同創(chuàng)立,并獲得國(guó)內(nèi)VC機(jī)構(gòu)*投資。公司專(zhuān)注于新型MEMS芯片與模組的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。掌握40多項(xiàng)MEMS技術(shù),擁有芯片設(shè)計(jì)、工藝開(kāi)發(fā)、流片生產(chǎn)和測(cè)試的全流程自主研發(fā)、自主生產(chǎn)能力。

      為滿(mǎn)足科研人員對(duì)樣品的觀測(cè)需求,原位芯片采用*的微電子工藝,設(shè)計(jì)并制造了專(zhuān)門(mén)用于同步輻射線站及掃描電子顯微鏡(SEM)、TEM氮化硅膜窗格的標(biāo)準(zhǔn)氮化硅膜窗格。原位芯片氮化硅膜窗格具有高潔凈度,高X-射線透射性,低應(yīng)力,高強(qiáng)度且膜厚均勻*的特性,適用于高溫(~1000℃)實(shí)驗(yàn)以及不同壓力環(huán)境的測(cè)試。為適用于多種實(shí)驗(yàn)條件,原位芯片為科研人員提供了單窗格,多窗格及微孔窗格三種標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。氮化硅膜采用低應(yīng)力技術(shù)(<250MPa),氮化硅膜薄透且不易破損,非常適合于前沿的生物、材料、物理、化學(xué)等方面的研究。

 超潔凈

100級(jí)潔凈環(huán)境

嚴(yán)格選用硅襯底材料

*的工藝水平

高強(qiáng)度

薄膜應(yīng)力<250Mpa

薄膜較薄可至10nm

窗口大小可至2cm

超平整

粗糙度低于0.5nm

均勻性?xún)?yōu)于5%

理化穩(wěn)定性?xún)?yōu)良

耐酸,耐堿,耐有機(jī)溶劑

易使用等離子體清洗

X射線透過(guò)率高


TEM氮化硅薄膜,X-ray氮化硅薄膜,微納代工,MEMS代工

價(jià)格區(qū)間 面議 儀器種類(lèi) 熱場(chǎng)發(fā)射
應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,食品/農(nóng)產(chǎn)品,生物產(chǎn)業(yè),農(nóng)林牧漁

SEM顯微鏡觀察窗口/SEM載網(wǎng)/氮化硅膜窗口

TE系列:

原位芯片X-Ray氮化硅薄膜窗口TE系列,為滿(mǎn)足科研人員對(duì)樣品的觀測(cè)需求,蘇州原位芯片采用*的微電子工藝,設(shè)計(jì)并制造了專(zhuān)門(mén)用于同步輻射線站及掃描電子顯微鏡(SEM)的標(biāo)準(zhǔn)氮化硅膜窗格。蘇州原位芯片氮化硅膜窗格具有高潔凈度,高X-射線透射性,低應(yīng)力,高強(qiáng)度且膜厚均勻一致的特性,適用于高溫(~1000℃)實(shí)驗(yàn)以及不同壓力環(huán)境的測(cè)試。目前我們的產(chǎn)品已被科研人員廣泛認(rèn)可且用于其生物、材料、物理、化學(xué)等方面的研究。

 

產(chǎn)品應(yīng)用

·納米材料,半導(dǎo)體材料,光學(xué)晶體材料,功能薄膜材料

·膠體,氣凝膠,有機(jī)材料和納米顆粒的表征實(shí)驗(yàn)

·含碳樣品分析(光阻劑,聚合物,食品,油品,燃料等)

·用于化學(xué)反應(yīng)及退火效應(yīng)的原位表征

·作為生物、細(xì)胞載體

 

SEM顯微鏡觀察窗口/SEM載網(wǎng)/氮化硅膜窗口 技術(shù)參數(shù)

TE同步輻射氮化硅薄膜窗口

外框項(xiàng)目

參數(shù)

外框

參數(shù)

材料

N/P 型硅片

  電阻率

1~10Q*cm

氮化硅項(xiàng)目

  參數(shù)

  氮化硅項(xiàng)目

  參數(shù)

材料

  LPCVD 氮化硅  

應(yīng)力

<250MPa

介電常數(shù)

6-7

介電強(qiáng)度

10 (106V/cm)

電阻率

1016Ω*cm

粗糙度(Ra)

0.28±5% nm

折射率@630nm

2.15-2.17

  粗糙度(Rms)

0.40±5% nm

 

 

產(chǎn)品型號(hào)

產(chǎn)品編號(hào)

膜厚

窗口尺寸

框架大小

TE025Z

10nm

0.25x0.25mm

5x5mm

TE050Z

10nm

0.5x0.5mm

5x5mm

TE025Y

20nm

0.25x0.25mm

5x5mm

TE050Y

20nm

0.5x0.5mm

5x5mm

TE025A

30nm

0.25x0.25mm

5x5mm

TE050A

30nm

0.5x0.5mm

5x5mm

TE100A

30nm

1x1mm

5x5mm

TE025B

50nm

0.25x0.25mm

5x5mm

TE050B

50nm

0.5x0.5mm

5x5mm

TE100B

50nm

1x1mm

5x5mm

TE150B

50nm

1.5x1.5mm

5x5mm

TE200B

50nm

2x2mm

5x5mm

TE025C

100nm

0.25x0.25mm

5x5mm

TE050C

100nm

0.5x0.5mm

5x5mm

TE100C

100nm

1x1mm

5x5mm

TE150C

100nm

1.5x1.5mm

5x5mm

TE200C

100nm

2x2mm

5x5mm

TE75050C

100nm

0.5x0.5mm

7.5x7.5mm

TE75200C

100nm

2x2mm

7.5x7.5mm

TE100300C(5pcs)

100nm

3x3mm

10x10mm

TE100500C(5pcs)

100nm

5x5mm

10x10mm

TE010D

200nm

0.1x0.1mm

5x5mm

TE025D

200nm

0.25x0.25mm

5x5mm

TE050D

200nm

0.5x0.5mm

5x5mm

TE100D

200nm

1x1mm

5x5mm

TE150D

200nm

1.5x1.5mm

5x5mm

TE200D

200nm

2x2mm

5x5mm

TE250D

200nm

2.5x2.5mm

5x5mm

每盒包含10枚芯片



化工儀器網(wǎng)

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