TE025B SEM氮化硅膜窗格
| 參考價 | ￥ 840 |
| 訂貨量 | ≥1 |
具體成交價以合同協議為準
- 公司名稱 蘇州原位芯片科技有限責任公司
- 品牌
- 型號 TE025B
- 產地 蘇州
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2019/7/17 9:58:08
- 訪問次數 329
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| 供貨周期 | 兩周 | 貨號 | TE025B |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 醫療衛生,化工,生物產業,電子/電池 | 主要用途 | 生物、材料、物理、化學等方面的研究 |
為滿足科研人員對樣品的觀測需求，原位芯片采用*的微電子工藝，設計并制造了專門用于同步輻射線站及掃描電子顯微鏡（SEM）的標準氮化硅膜窗格。原位芯片氮化硅膜窗格具有高潔凈度，高X-射線透射性，低應力，高強度且膜厚均勻*的特性，適用于高溫（～1000℃）實驗以及不同壓力環境的測試。目前我們的產品已被范圍內的科研人員廣泛認可且用于其生物、材料、物理、化學等方面的研究。
產品特點
超潔凈
100級潔凈環境
嚴格選用硅襯底材料
*的工藝水平
高強度
薄膜應力<250Mpa
薄膜較薄可至10nm
窗口大小可至2cm
超平整
粗糙度低于0.5nm
均勻性優于5%
理化穩定性優良
耐酸，耐堿，耐有機溶劑
易使用等離子體清洗
X射線透過率高
技術參數
| 外框項目 | 參數 | 外框項目 | 參數 |
| 材料 | N型硅 | 電阻率 | 1~10Ω-cm |
| 氮化硅膜參數 | 參數 | 氮化硅膜參數 | 參數 |
| 材料 | LPCVD 氮化硅薄膜 | 應力 | <250MPa |
| 介電常數 | 6-7 | 介電強度 | 10（106 V/cm ） |
| 電阻率 | 1016Ω-cm | 粗糙度（Ra) | 0.28±5%nm |
| 折射率@630nm | 2.15-2.17 | 粗糙度(Rms) | 0.40±5%nm |
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