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2024
12-042024
12-032024
12-022024
11-29R&S展示寬帶DVB-S2X波束跳動和DVB-RCS2傳輸技術
羅德與施瓦茨(以下簡稱"R&S公司")展示了寬帶1000MHzDVB-S2X軟件定義無線電(SDR)調制解調器ASIC,相當于在一個共同的測試設置中,將8個VSAT調制解調器放在一個芯片上。同時R&S展示了端到端的測試基礎設施,其中包括R&SSMW200A矢量信號發生器和R&SFSW信號和頻譜分析儀,以及SatixFy的Sx3099調制解調器ASIC,演示DVB-S2XAnnexE寬頻帶波束跳變和高比特率DVB-RCS2傳輸。圖:用R&SFSW分析的DVB-S2X波束跳動信號(左)和用R&SFS2024
11-282024
11-272024
11-262024
11-252024
11-252024
11-222024
11-212024
11-202024
11-192024
11-18同惠 TH510系列半導體C-V特性分析儀讓新能源車充電效率更快
一、研究背景隨著我國加快實現“碳達峰、碳中和”的目標,電氣化替代已成為實現目標的關鍵。近年來新能源呈爆發式增長,充電樁作為新能源汽車的基礎配套設備,其數量與質量也是消費者選擇電動汽車的重要影響因素。當前,MOSFET在國內充電樁企業批量應用,是新能源汽車充電樁的“心臟”。MOSFET即金屬-氧化物-半導體場效應晶體管,簡稱MOS管,主要有三個引腳:漏極、源極和柵極,屬于絕緣柵型,其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻。二、為什么要測試MOSFET的好壞?在充2024
11-152024
11-142024
11-13微型中低頻點聲源 Simcenter Qsources Q-IND2
一、體積聲源/Qsource憑借40多年來在振動噪聲技術上的豐富經驗,西門子Simcenter工程咨詢團隊打造了SimcenterQsources硬件家族,為用戶提供了創新型激勵設備。SimcenterQsources家族涵蓋了各種高級激勵硬件,主要分為結構激勵設備(激振器)和聲學激勵設備(體積聲源),可實現硬件與SimcenterTestlab軟件的無縫結合。這種組合使得產品在效率、數據精度和客戶預期等方面遠遠高出目前市場的標準。SimcenterQsources家族中的激振器主要有4個型號,2024
11-122024
11-082024
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