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在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。
干法刻蝕，是利用氣態中產生的等離子體，通過經光刻而開出的掩蔽層窗口，與暴露于等離子體中的硅片行物理和化學反應，刻蝕掉硅片上暴露的表面材料的一種工藝技術法[1]。該工藝技術的突出優點在于，可以獲得極其精確的特征圖形。超大規模集成電路的發展，要求微細化加工工藝能夠嚴格的控制加工尺寸，要求在硅片上完成極其精確的圖形轉移。任何偏離工藝要求的圖形或尺寸，都可能直接影響產品性能或品質，給生產帶來無法彌補的損害。由于干法刻蝕技術在圖形軼移上的突出表現，己成為亞微米尺寸下器件刻蝕的最主要工藝方法。在特征圖形的制作上，已基本取代了濕法腐蝕技術。
對于濕法腐蝕，就是用液體化學試劑(如酸、堿和溶劑等)以化學的方式去除硅片表面的材料。當然，在通過濕法腐蝕獲得特征圖形時，也要通過經光刻開出的掩膜層窗口，腐蝕掉露出的表面材料。但從控制圖形形狀和尺寸的準確性角度而言，在形成特征圖形方面，濕法 腐蝕一般只被用于尺寸較大的情況(大于3微米)。由于這一特點，濕法腐蝕遠遠沒有干法刻蝕的應用廣泛。但由于它的高選擇比和批量制作模式，濕法腐蝕仍被廣泛應用在腐蝕層間膜、去除干法刻蝕殘留物和顆粒等工藝步驟中。
