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刻蝕，是指用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。刻蝕的基本目的，是在涂膠(或有掩膜)的硅片上正確的復制出掩膜圖形。
刻蝕，通常是在光刻工藝之后進行。我們通常通過刻蝕，在光刻工藝之后，將想要的圖形留在硅片上。從這一角度而言，刻蝕可以被稱之為最終的和最主要的圖形轉移工藝步驟。在通常的刻蝕過程中，有圖形的光刻膠層〔或掩膜層)將不受到腐蝕源顯著的侵蝕或刻蝕，可作為掩蔽膜，保護硅片上的部分特殊區(qū)域，而未被光刻膠保護的區(qū)域，則被選擇性的刻蝕掉。
