遷移率少子壽命測(cè)試儀特點(diǎn)：

■測(cè)試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測(cè)量。

■主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進(jìn)廠、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。

■適用于低阻硅料少子壽命的測(cè)量，電阻率測(cè)量范圍可達(dá)ρ>0.1Ω?cm（可擴(kuò)展至0.01Ω?cm），完了微波光電導(dǎo)無法檢測(cè)低阻單晶硅的問題。

■全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測(cè)試過程，避免了微波光電導(dǎo)（u-PCD）無法觀測(cè)晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。

■貫穿深度大，達(dá)500微米，相比微波光電導(dǎo)的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測(cè)量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。

■專業(yè)定制樣品架地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測(cè)試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。

■遷移率少子壽命測(cè)試儀性價(jià)比高，價(jià)格遠(yuǎn)低于國外國外少子壽命測(cè)試儀產(chǎn)品，極大程度地降低了企業(yè)的測(cè)試成本。