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2235美爾森石墨2235MERSEN石墨石墨件

日本東海石墨（TOKAI）：G330，G347，G348，G458，G467，G520，G530,534，G540，HK-1,HK-2,HK-3,HK-75,HK-15。

日本東洋石墨（TOYO）：IG-11，IG-12，IG-15，IG-45，IG-56，IG-70，IG-110，IG-120，IG-210，IG-310，ISEM-1，ISEM-2，ISEM-3，ISEM-8，ISO-63，ISO-66，ISO-68，ISO-88，TTK-4，TTK-5，TTK-8，TTK-9，SIC-6，SIC-12，TTK-50，HPG-51，HPG-53，HPG-59，HPG-83，含銅石墨TTK-5C，含銅ISEM-41C，KC-6709，KC-5709，KC-6707，IKC-6809，KC-67097，KC-360，KC-570，KC-670，KC-673，KC-830K，X-11，X-72，X-78，X-91，X-94，BX-388，T-301，124，127。

德國西格里石墨（SGL）：R8500，R8510，R8710，R8650，R8340，R6510，R6500，R6300，EK24，EK40，EK60，浸漬樹脂EK2200，EK2201，EK2203，EK2240，EK2241，EK2243浸漬銻EK3205，EK3235，EK3245，EK3105，EK305。

美國步高石墨（POCO）：EDM-150，EDM-200，EDM-1，EDM-3，EDM-2，EDM-AF5，含銅石墨EDM-C3，含銅EDM-C200。

美國精帝石墨：ER9050，ER9160，ER9200，ER9220，R9300。

法國美爾森石墨（MERSEN)：E+20，E+25，E+18，E+40，E+50，E+35，DS-4，2129，2020，2124，2715，2720，2333。

日本揖斐電石墨（IBIDEN）：XL-5，EX-70，EX-60，EX-50，EX-4，EX-3

新日本碳素石墨（NTC）：SED-40S，SED-65，SED-70，SED-75，SED-90，SED-T1。

美國優卡石墨：E-850，E-888，E-900，E-940，E-950。

國內：HND-T4，HND-T6，HND-T9，HND-T11，F5585，F5587，F5590，HND-T20，HND-T30，HND-T40，HND-T50，HND-T60，HND-T70，HND-T80，HND-T90，HND-T100，WX-7，WX-8，兩浸三焙，三浸四焙，四浸五焙，模壓高純石墨，等靜壓三高石墨，中粗顆粒石墨材料。

新日本科技炭素NTC生產的等靜壓石墨、模壓石墨、擠壓石墨等特種石墨制品。這些石墨具有結構均勻、理化性能好等優點，在特種石墨材料市場中屬于中產品，廣泛應用于冶金、化工、半導體、能源、環保、交通運輸、機械工程、玻璃陶瓷等行業。另可供硬碳氈；軟碳氈、炭符合材料。

德國SGL (西格里) 石墨/碳石墨素材

標準材質

含浸: Resin / Antimony / Salt

碳石墨: EK20 / EK2200 / EK 2201 / EK2203 / EK 2209 / EK3205 / EK2230 / EK2239 / EK3235 / EK24 / EK2240 / EK2241 / EK2243 / EK3245 / EK25 / EK2250 / EK3255

石墨: EK40 / EK200 / EK201 / EK203 / EK204 / EK305 / V1626

Resin Bonded Graphite: EK60 / V1754 / V1771 / V1352 / V1640

高純石墨一般指含碳量在99.99%以上的石 墨，在組織結構上可分為粗顆粒結構、細顆粒結構和超細顆粒結構三類，高純石墨大量用于直拉單晶硅爐中。集成電路的基礎材料主要是硅單晶芯片，目前硅單晶的成長工藝主要采用直拉法，其他方法還有磁場直拉法、區域法以及雙坩堝拉晶法，直拉單晶硅爐中的石墨件是消耗品，采用高純石墨材料加工成直拉單晶硅爐的加熱系統。

高純石墨另一重要用途是加工成各類坩堝，用于生產貴金屬、稀有金屬或高純金屬、非金屬材料。光譜分析用石墨電極也是一種高純石墨，可用于除碳元素以外的所有元素的光譜化學分析，光譜分析用石墨電極用擠壓方法成型。成品的雜質元素含量應不大于6*10-5。在光譜分析中制備標準樣品和用化學方法捕集雜質時需用光譜純炭粉或光譜純石墨粉，這兩種高純材料對雜質含量的要求都是在6*10-5；在某些用途方面，需要含碳量達到99.9995%，總灰分含量小于5*10-6。高純石墨的成型方法有擠壓成型、模壓成型及等靜壓成型三種。

高純石墨一般指含碳量在99.99%以上的石 墨，在組織結構上可分為粗顆粒結構、細顆粒結構和超細顆粒結構三類，高純石墨大量用于直拉單晶硅爐中。集成電路的基礎材料主要是硅單晶芯片，目前硅單晶的成長工藝主要采用直拉法，其他方法還有磁場直拉法、區域法以及雙坩堝拉晶法，直拉單晶硅爐中的石墨件是消耗品，采用高純石墨材料加工成直拉單晶硅爐的加熱系統。

高純石墨另一重要用途是加工成各類坩堝，用于生產貴金屬、稀有金屬或高純金屬、非金屬材料。光譜分析用石墨電極也是一種高純石墨，可用于除碳元素以外的所有元素的光譜化學分析，光譜分析用石墨電極用擠壓方法成型。成品的雜質元素含量應不大于6*10-5。在光譜分析中制備標準樣品和用化學方法捕集雜質時需用光譜純炭粉或光譜純石墨粉，這兩種高純材料對雜質含量的要求都是在6*10-5；在某些用途方面，需要含碳量達到99.9995%，總灰分含量小于5*10-6。高純石墨的成型方法有擠壓成型、模壓成型及等靜壓成型三種。