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半導體光放大器

這些設備能夠放大高光譜質量光束的光功率。這些器件的光譜范圍為 390 nm 至 461 nm。我們特別提供“量子技術波長，例如 421 nm 和 461 nm。

半導體光放大器基本參數：

光功率高達 150 mW

小信號增益 15-20 dB

封裝：

COS封裝

C-mount封裝，具有兩側接入

蝶形帶尾纖封裝

量子技術(單光子探測器、計數模塊、MOT磁光阱控制模塊)；光纖和探頭(高溫鍍銅鍍金光纖、中紅外光纖、光纖探頭)；模塊、系統及整機(激光驅動、溫控模塊、TDLAS系統、FTIR光譜儀、放射性碳分析儀C14-SCAR)；III-V族外延晶圓(VCSEL晶圓、InGaAs晶圓、QCL晶圓)。產品主要應用于：高靈敏度激光氣體分析、紅外探測、光纖光譜、醫療健康、超快光譜、量子技術、激光加工、航天軍工、科學研究等領域。