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山東鴻得實業有限公司>技術文章>少子壽命測試儀KDK-LT-100C

技術文章

少子壽命測試儀KDK-LT-100C

閱讀:1265          發布時間:2019-12-5

數字式硅晶體少子壽命測試儀

型號:KDK-LT-100C

為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量,特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導法研制出了數字式少子壽命測試儀。

該設備是按照國家標準GB/T1553“硅單晶少數載流子壽命測定的高頻光電導衰減法"設計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業已運用了三十多年,積累了豐富的使用經驗,經過數次全國十多個單位巡回測試的考驗,證明是一種成熟可靠的測試方法,特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量;也可對硅片進行測量,給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,制樣簡便。

 

KDK-LT-100C數字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點:

1、 可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數載流子體壽命。表面無需拋光,直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。

2、  可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數載流子的相對壽命,表面無需拋光、鈍化。

3、配備軟件的數字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時顯示動態光電導衰退波形,并可聯用打印機及計算機。

4、配置兩種波長的紅外光源:

a、紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準確測量晶體少數載流子體壽命。

b、短波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強較強,有利于測量低阻太陽能級硅晶體。

5、測量范圍寬廣

測試儀可直接測量:

a、研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。

b、拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω•㎝范圍內的硅單晶、鍺單晶拋光片。

壽命可測范圍     0.25μS—10ms

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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