著名的摩爾定律揭示集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每2年便會增加一倍。雖然隨著國際半導(dǎo)體的技術(shù)發(fā)展路線圖的更新，這一趨勢現(xiàn)在開始放緩，摩爾定律逐漸失效，但它仍然是半導(dǎo)體行業(yè)快速增長和發(fā)展的強(qiáng)大驅(qū)動力。

高精du的流量測量和控制是許多半導(dǎo)體制造技術(shù)的關(guān)鍵。科里奧利質(zhì)量流量計和控制器是小流量液體應(yīng)用的理想選擇，因具有多種優(yōu)點，使其成為半導(dǎo)體工藝的理想選擇。

在本文中，我們將簡要討論半導(dǎo)體行業(yè)并講述科里奧利質(zhì)量流量控制技術(shù)的作用。

半導(dǎo)體制造涉及大量的加工技術(shù)。對于集成電路芯片，將一個圓柱形的晶錠切成薄片，進(jìn)行清洗和拋光，然后再進(jìn)行各種加法和減法處理步驟。其中一個關(guān)鍵步驟，是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的一種叫做化學(xué)氣相沉積(CVD)的技術(shù)。

 CVD 

／化學(xué)氣相沉積／

化學(xué)氣相沉積法是傳統(tǒng)的制備薄膜的技術(shù)，指化學(xué)氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)。在集成電路的制造過程中，襯底通常為硅片。CVD能夠創(chuàng)造高阻隔膜，非常適用于具有復(fù)雜幾何形狀的集成電路。

這個過程可以簡單地用幾個步驟來描述:

-襯底(在這種情況下是硅片)被裝入真空室。

-使用質(zhì)量流量控制器將qian qu物精que地從儲罐流向汽化區(qū)域。

-通過增加熱量和/或降低壓力而汽化xian驅(qū)物。

-氣態(tài)的前驅(qū)物進(jìn)入真空室，并反應(yīng)形成聚合物沉積在基材表面。

-所有揮發(fā)性的副產(chǎn)物通過腔室橫向氣流排出。