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四硼酸鋰的晶體生長(zhǎng)過(guò)程
閱讀：2845發(fā)布時(shí)間：2015-9-23
四硼酸鋰LI2B4O7單晶體是用垂直提拉工藝生長(zhǎng)的.將純度為4N的Li2CO3和B2O3按專家報(bào)道的實(shí)際配比,即68.9mol%的B2O3和31.1mol%的 Li2CO3原料盛于75*75的鉑金坩堝中,采用中頻感應(yīng)加熱,晶體的轉(zhuǎn)速為16r/min,提拉速度為0.7mm/h.采用鉑-鉑銠電偶取信號(hào),DWT-702或WZT-761控溫儀控制溫度程序,并用GLD光電精密調(diào)速儀分別控制轉(zhuǎn)速與提拉速度.
據(jù)研究,四硼酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)碰到的一般問(wèn)題是炸裂,混入氣泡,形成晶核,形成缺陷區(qū)而使晶體失透.我們采用已經(jīng)成熟的鉭酸鋰生長(zhǎng)裝置和溫場(chǎng)生長(zhǎng)該晶體時(shí),發(fā)現(xiàn)晶體的炸裂和氣泡的混入是可以得到解決的.在晶體中以晶軸為同心軸而形成的"云層"可以通過(guò)轉(zhuǎn)速和生長(zhǎng)速率的調(diào)節(jié)以及精密控制溫度波動(dòng)等辦法得以消除;而在四硼酸鋰晶體中形成晶核才是zui主要的問(wèn)題,這與該晶體的生長(zhǎng)工藝,原料的純度,雜技的混入,熔體的組成偏離以及溫場(chǎng)的選取有關(guān).
據(jù)研究,四硼酸鋰晶體生長(zhǎng)時(shí)碰到的一般問(wèn)題是炸裂,混入氣泡,形成晶核,形成缺陷區(qū)而使晶體失透.我們采用已經(jīng)成熟的鉭酸鋰生長(zhǎng)裝置和溫場(chǎng)生長(zhǎng)該晶體時(shí),發(fā)現(xiàn)晶體的炸裂和氣泡的混入是可以得到解決的.在晶體中以晶軸為同心軸而形成的"云層"可以通過(guò)轉(zhuǎn)速和生長(zhǎng)速率的調(diào)節(jié)以及精密控制溫度波動(dòng)等辦法得以消除;而在四硼酸鋰晶體中形成晶核才是zui主要的問(wèn)題,這與該晶體的生長(zhǎng)工藝,原料的純度,雜技的混入,熔體的組成偏離以及溫場(chǎng)的選取有關(guān).
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