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高產量

等離子蝕刻和沉積腔體可以與多達兩個片盒站組合，用于到200 mm晶片的高產量工藝。

研發

三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發的要求。樣品可以通過預真空室和/或真空片盒站加載。

刻蝕系統包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂，可適用于三至六個端口?？梢允褂枚噙_兩個片盒站來增加產量。傳送腔室可以配備多種選擇。

用于研發的SENTECH多腔系統通過圖形用戶界面控制軟件操作。強大的控制軟件可用于工業領域高產量的多腔系統。