Nikalyte NL-UHV超高真空納米顆粒沉積源

產品編號：Nikalyte NL-UHV超高真空納米顆粒沉積源

類別：制造、納米顆粒沉積、技術

NL-UHV能夠在超真空中生成和沉積納米顆粒，以在樣品上創建功能化表面。 可以通過精確控制納米顆粒的尺寸、組成和結構來定制納米顆粒涂層的特性，從而實現定制化特性。

NL-UHV儀器允許將超純納米顆粒直接沉積在各種基底和材料上?？梢哉{整膜的密度，并且涂層能夠很好地附著在樣品表面。 NL-UHV有多種配置可供選擇，包括單個1英寸和2英寸源，以及三重1英寸源NL-DX3，后者允許單獨或作為合金沉積多達三種材料。 NL-QMS質量過濾器提供了對納米顆粒沉積的高級控制，允許實時按質量或直徑掃描或過濾納米顆粒。 NL-QMS通過用戶友好的WindowsTM軟件操作，為沉積過程提供了直觀的控制。

介紹超真空-合金納米顆粒沉積 Nikalyte NL-UHV，合金納米顆粒沉積儀器系列，能夠在超真空中將納米顆粒生成并沉積到您的樣品上，以創建功能化表面。通過精確控制納米顆粒的尺寸、組成和結構，可以定制納米顆粒涂層的特性。

與化學技術不同，NL-UHV系列儀器允許將超純納米顆粒直接沉積在各種基底和材料上。可以調整膜的密度，且膜本身可以高度附著在樣品表面。

NL-UHV可配備單個1英寸、2英寸源或三重1英寸源NL-DX3。NL-DX3允許使用兩種或三種材料同時單獨或作為合金沉積多達三種材料。

為了實現對納米顆粒沉積的控制，Nikalyte NL-QMS質量過濾器允許實時按質量或納米顆粒直徑掃描或過濾沉積的納米顆粒，使您能夠優化生長條件。NL-QMS通過

我們簡單直觀的WindowsTM軟件進行控制。

納米涂層孔隙率

NL-UHV能夠生成帶電和不帶電的納米顆粒，但大部分納米顆粒帶有負電荷。納米顆粒的帶電狀態意味著它們可以通過靜電操縱，無論是聚焦、偏轉還是加速。通過在樣品上施加正加速偏壓，可以控制沉積的納米顆粒層的孔隙率。對于低加速偏壓（約幾百伏），納米顆粒會輕柔地著陸并形成高度多孔的層。在更高的加速能量（約1千伏）下，納米顆粒會經歷一定程度的界面混合，并且更牢固地附著在基底上。在非常高的加速能量下，沉積的納米顆粒層會恢復到塊體特性，對于軟基底，甚至可以植入基底材料中。 通過控制加速偏壓和選擇基底材料，可以創建一系列不同的涂層，從輕柔著陸的納米多孔層（適用于 delicate substrates，如 polymers 和 graphene）到高度附著的，甚至在某些情況下植入的納米顆粒涂層。通過在整個沉積過程中改變加速偏壓，也可以創建具有梯度孔隙率的涂層。

納米顆粒結構

納米涂層通常是由晶體或非晶態納米顆粒組成的三維材料。 納米顆粒的結構因其尺寸而受到強烈影響，因為其表面能與二維或塊體材料相比更強。 納米顆粒在聚集區的停留時間和等離子體溫度也在形成過程中發揮作用。 通過調整磁控管功率、聚集長度和氣體流量等工藝參數，可以形成不同的納米顆粒結構。 NL-UHV冷卻夾套還提供了選擇水冷或液氮冷卻的選項。 使用液氮冷卻可以對聚集區的溫度進行更廣泛的控制，這對于在極低溫度下成核（形成納米顆粒）的材料（如硅）特別有用。 研究表明，液氮可以將硅的沉積速率提高幾個數量級。