INPHENIX超輻射發(fā)光二極管IPSDD0701

產(chǎn)品型號：IPSDD0701

產(chǎn)品介紹

超輻射發(fā)光二極管（SLD）是邊發(fā)射半導體光源。超輻射發(fā)光二極管（SLD）的特性是與輸出激光二極管（LD）類似的高輸出功率和低光束發(fā)散度，但具有更寬的光譜和低相干性，類似于發(fā)光二極管（LED）。超輻射發(fā)光二極管（SLD）在幾何形狀上與激光器類似，但是沒有內(nèi)置的LD反射機制用于受激發(fā)射以實現(xiàn)激光。與LD相比，超輻射發(fā)光二極管（SLD）操作的主要區(qū)別是：有源區(qū)內(nèi)的增益更高，電流密度更高，光子的不均勻性和載流子密度分布更強。超輻射發(fā)光二極管（SLD）具有與LED相似的結構特征，通過降低刻面的反射率來抑制激光作用。超輻射發(fā)光二極管（SLD）本質(zhì)上是高度優(yōu)化的LED。雖然超發(fā)光二極管（SLD）像低電流水平的LED一樣工作，但是它們的輸出功率在高電流下也是超線性地增加。用于表征超輻射發(fā)光二極管（SLD）的六個關鍵參數(shù)：（1）輸出功率;（2）光學增益; （3）ASE頻譜帶寬或3dB帶寬; （4）頻譜調(diào)制深度或紋波; （5）相干長度; 和（6）相干函數(shù)。

性能特點

l 寬光學帶寬

l 客戶波長可用

l SM/或PM光纖的高輸出功率

技術參數(shù)

產(chǎn)地：美國

中心波長：740...760 nm

3dB帶寬：7...10 nm

SM光纖的輸出功率：3 mW

頻譜調(diào)制深度：0.10...0.20 dB

工作電流：120...150 mA

背面顯示器：可根據(jù)要求提供

工作溫度：–20...70°C

儲存溫度：–40...85°C

TEC驅動電流：1.5 A

TEC驅動電壓：3.6 V

電流：max.200 mA

熱敏電阻：10kΩ@ 25°C

SLD芯片溫度設置：25°C

光纖類型：SMF/PMF/MMF

光纖護套250μm緊密緩沖帶900μm松套管

封裝：14引腳DIL/14引腳BUT/8引腳BUT

鉛焊料溫度：260°C持續(xù)10秒

產(chǎn)品應用

寬帶光源

光纖傳感器（FOS）

OCT系統(tǒng)照明