光刻膠是一種在半導體制造和微細加工領域中至關重要的材料。它主要由光引發劑、樹脂、溶劑等基礎組分組成，并根據其響應紫外光的特性，可以分為正膠和負膠兩種類型。正膠在曝光前對顯影液不可溶，而曝光后變得可溶，能夠產生高分辨率和良好對比度的圖案。相比之下，負膠在曝光前可溶，曝光后不可溶，具有較好的粘附能力和抗刻蝕能力，但其分辨率相對較低。

光刻膠的種類繁多，每種光刻膠都有其特定的應用領域和特點。托托科技提供了一系列光刻膠 滿足不同半導體制造工藝的需求，主要用于精確地將電路圖案轉移到硅片上。

高分辨率光刻膠/S1800系列光刻膠，這些正性光刻膠具有0.4-2.7um的膠厚范圍，極限線寬可達0.5um，適用于小線寬雙層膠lift-off工藝。SPR955系列光刻膠，這些正性光刻膠的膠厚范圍為0.7-3.5um，極限線寬可達0.35um，粘附性好。ROL-7133光刻膠，國產負膠，適用于g/h/i-line光源，膠厚范圍為2.2-4um，適用于lift-off工藝制造金屬電極或導線。SUN-lift 1303光刻膠，國產負膠，同樣適用于g/h/i-line光源，膠厚范圍為2.2-4um，適用于lift-off工藝。PMMA 光刻膠，正性電子束光刻膠，高分辨率，適用于電子束光刻、二維材料轉移、多層T-gate等工藝。AZ系列光刻膠：AZ 5214E光刻膠：正性薄膠，膠厚范圍為1-1.6um，適用于雙層膠lift-off工藝；AZ 4620光刻膠：正性厚膠，膠厚范圍為3-60um，適用于干法/濕法刻蝕、電鍍等工藝；AZ MIR 701/703光刻膠：高分辨率正膠，膠厚范圍為0.7-1.4um，極限線寬0.5um；AZ nLOF 2000系列光刻膠：包括AZ nLOF 2020、AZ nLOF 2035、AZ nLOF 2070等型號，耐高溫Lift-off光刻膠。SU-8光刻膠，高深寬比負膠，膠厚范圍為0.5-650um，適用于絕緣層、微流控等工藝。SPR220系列光刻膠，常用正膠，膠厚范圍為1-10um，適用于干法/濕法刻蝕、電鍍等工藝。AZ 1500系列光刻膠，高分辨率正膠，膠厚范圍為0.7-1.4.3um，極限線寬0.5um。底層膠、圖形反轉膠、電子束光刻膠、LOR光刻膠、PMGI SF光刻膠、Lift-off工藝光刻膠等，適用于不同的工藝需求，包括正性光刻膠、負性光刻膠、厚光刻膠、薄光刻膠、紫外光刻膠。

托托科技的光刻膠 滿足不同半導體制造工藝的需求，從精細圖案的制造到高深寬比的應用，都有相應的產品可以選擇。