Epiluvac ER3-C1 SiC分子外延系統
- 公司名稱 深圳市矢量科學儀器有限公司
- 品牌 Veeco
- 型號 Epiluvac ER3-C1
- 產地 美國
- 廠商性質 經銷商
- 更新時間 2025/6/6 11:29:12
- 訪問次數 438
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Epiluvac ER3-C1
晶圓直徑可達 200 mm （8“）
通過熱壁拓撲結構實現出色的均勻性
優良的動態氣體流量控制，可實現佳生長速率和摻雜均勻性。
具有多個加熱區的出色溫度曲線
不含石英，適用于氯化工藝
在清潔的惰性氣氛中進行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長石墨部件的使用壽命
模塊化設計，兩個、三個或四個反應器組成集群配置。每個反應器都針對特定的生長步驟進行了優化
在受控環境中在反應器之間進行晶圓運輸
高達 1800 °C
適用于中小批量生產和研發
Epiluvac EPI 1000-C：
熱壁 CVD 具有出色的均勻性
大 150 mm 基板直徑
單晶圓和手動裝載
非常適合研發
Epiluvac ER3-N1：
上述ER3-C1系統的GaN版本
可選的原位監測
獲得利的溫度控制，可大限度地減少晶圓彎曲
Epiluvac ER3-C1：
晶圓直徑可達 200 mm （8“）
通過熱壁拓撲結構實現出色的均勻性
優良的動態氣體流量控制，可實現佳生長速率和摻雜均勻性。
具有多個加熱區的出色溫度曲線
不含石英，適用于氯化工藝
在清潔的惰性氣氛中進行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長石墨部件的使用壽命
模塊化設計，兩個、三個或四個反應器組成集群配置。每個反應器都針對特定的生長步驟進行了優化
在受控環境中在反應器之間進行晶圓運輸
高達 1800 °C
適用于中小批量生產和研發
Epiluvac EPI 1000-C：
熱壁 CVD 具有出色的均勻性
大 150 mm 基板直徑
單晶圓和手動裝載
非常適合研發
Epiluvac ER3-N1：
上述ER3-C1系統的GaN版本
可選的原位監測
獲得利的溫度控制，可大限度地減少晶圓彎曲
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