四探針方阻儀1.2.準備好被測物，鏈接好測試探頭，把測試探頭接口與主機接口相連接，并鎖定，防止松動或接觸不良而對測試結果造成影響.

1.3.接通電源，開啟電源開關，待儀器液晶顯示屏上顯示出廠家和產品信息后，如圖3，按“顯示”鍵進入，

1.4.進入測試功能界面如圖4、圖5；如測試方阻時，請選擇液晶顯示屏又側對應 的功能按鍵“方阻”，則進入方阻測試界面；如測試其他材料時，請選擇“材料”則進入材料電阻，電阻率，電導率測試儀界面。

1.5.設置好被測物所需之參數，把被測物放于測試治具平臺上操作，測試完畢直接顯示測試數據。如配置軟件，軟件操作說明書同安裝軟件在一起，請注意查看操作步驟.

四探針方阻儀四探針雙電方阻測試步驟2.1.上述步驟中1項，使用前期準備

2.2 把被測物測試所需要之參數數據設定：

2.2.1依據不同之測試樣品，選擇被測試電流，電流設置：按方向鍵移動光標至“電流”功能，按“設置”鍵進入；再按“左右”方向鍵選擇電流數據，選擇完畢后按“確定”鍵進行確認。按照以上步驟和方法選擇電壓、長度單位、探針形狀設定、溫度.

2.2.2.探針間距數據的輸入，探針間距出廠時已經標定，無需再次測量，探針頭上有詳細的探針數據資料，探針間距的設置：將光標移動至“探針間距”按“設置”鍵進入，通過面板上面的“數字”按鍵輸入數據按“確定”鍵進行確認；按照以上方法和步驟設定”厚度“，注意厚度和探針間距修正系數表已經設置在儀器程序中，自動修正，無需再次輸入和查詢表格。

2.3.測試探頭和測試平臺操作

選配測試平臺的將被測物放在測試平臺上，調節探頭探針與樣品良好接觸，探頭有二種，一種是探針是彈簧針型，一種是硬針而探頭內腔有彈簧；探頭有方型和直線型兩種結構；調節測試平臺上的水平定位角，保證水平儀水準在中心位置；放置好被測物品，后壓下探頭至被測物，帶數據穩定后讀取.

探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統其他部分之

間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距，四探針應以

等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應符合GB/T 552 中

的規定。

R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R，)

計算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中

查出修正因子F，也可以見GB/T11073中規定的幾何修正因

子。 9.4計算幾何修正因子F，見式(4)。

對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100

μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平

頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不

小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形

操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

雙刀雙撐電位選擇開關。.定。歐嬌表，能指示阻值高達10°日的漏電阻，溫度針

0℃-40℃，小刻度為0.1℃。

光照、高頻、需動、強電磁場及溫醒度等測試環境會影

響測試結果，

甲醇、99.5%，干燥氮氣。測量儀器探針系統操針為具

有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針，針實半徑分別為35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

電壓表輸入阻抗會引入測試誤差，硅片幾何形狀，表

面粘污等會影響測試結果，

R(TD-R_xF式中:

計算每一測量位置的平均電阻R.，見式(3).

試劑優級純，純水，25℃時電阻率大于2MN.cm,

s=號(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..

計算每一測量位置在所測溫度時的薄層電阻(可根據薄

層電阻計算出對應的電阻率并修正到23℃，具體見表4)

見式(5).

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置

的時間應足夠長，到達熱平衡時，試樣溫度為23 ℃±1℃.

接通電流，令其任一方向為正向，調節電流大小見表1測量范圍

    電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm

    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□

    電  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω

3.2  材料尺寸(由選配測試臺決定和測試方式決定)直    徑：A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm，   方測試臺直接測試方式180mm×180mm，    長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100mm,        測量方位: 軸向、徑向均可

3.3.  4-1/2 位數字電壓表：

    (1)量程： 20.00mV～2000mV

    (2)誤差：±0.1%讀數±2 字