四探針?lè)阶鑳x1.2.準(zhǔn)備好被測(cè)物，鏈接好測(cè)試探頭，把測(cè)試探頭接口與主機(jī)接口相連接，并鎖定，防止松動(dòng)或接觸不良而對(duì)測(cè)試結(jié)果造成影響.

1.3.接通電源，開(kāi)啟電源開(kāi)關(guān)，待儀器液晶顯示屏上顯示出廠家和產(chǎn)品信息后，如圖3，按“顯示”鍵進(jìn)入，

1.4.進(jìn)入測(cè)試功能界面如圖4、圖5；如測(cè)試方阻時(shí)，請(qǐng)選擇液晶顯示屏又側(cè)對(duì)應(yīng) 的功能按鍵“方阻”，則進(jìn)入方阻測(cè)試界面；如測(cè)試其他材料時(shí)，請(qǐng)選擇“材料”則進(jìn)入材料電阻，電阻率，電導(dǎo)率測(cè)試儀界面。

1.5.設(shè)置好被測(cè)物所需之參數(shù)，把被測(cè)物放于測(cè)試治具平臺(tái)上操作，測(cè)試完畢直接顯示測(cè)試數(shù)據(jù)。如配置軟件，軟件操作說(shuō)明書(shū)同安裝軟件在一起，請(qǐng)注意查看操作步驟.

四探針?lè)阶鑳x四探針雙電方阻測(cè)試步驟2.1.上述步驟中1項(xiàng)，使用前期準(zhǔn)備

2.2 把被測(cè)物測(cè)試所需要之參數(shù)數(shù)據(jù)設(shè)定：

2.2.1依據(jù)不同之測(cè)試樣品，選擇被測(cè)試電流，電流設(shè)置：按方向鍵移動(dòng)光標(biāo)至“電流”功能，按“設(shè)置”鍵進(jìn)入；再按“左右”方向鍵選擇電流數(shù)據(jù)，選擇完畢后按“確定”鍵進(jìn)行確認(rèn)。按照以上步驟和方法選擇電壓、長(zhǎng)度單位、探針形狀設(shè)定、溫度.

2.2.2.探針間距數(shù)據(jù)的輸入，探針間距出廠時(shí)已經(jīng)標(biāo)定，無(wú)需再次測(cè)量，探針頭上有詳細(xì)的探針數(shù)據(jù)資料，探針間距的設(shè)置：將光標(biāo)移動(dòng)至“探針間距”按“設(shè)置”鍵進(jìn)入，通過(guò)面板上面的“數(shù)字”按鍵輸入數(shù)據(jù)按“確定”鍵進(jìn)行確認(rèn)；按照以上方法和步驟設(shè)定”厚度“，注意厚度和探針間距修正系數(shù)表已經(jīng)設(shè)置在儀器程序中，自動(dòng)修正，無(wú)需再次輸入和查詢表格。

2.3.測(cè)試探頭和測(cè)試平臺(tái)操作

選配測(cè)試平臺(tái)的將被測(cè)物放在測(cè)試平臺(tái)上，調(diào)節(jié)探頭探針與樣品良好接觸，探頭有二種，一種是探針是彈簧針型，一種是硬針而探頭內(nèi)腔有彈簧；探頭有方型和直線型兩種結(jié)構(gòu)；調(diào)節(jié)測(cè)試平臺(tái)上的水平定位角，保證水平儀水準(zhǔn)在中心位置；放置好被測(cè)物品，后壓下探頭至被測(cè)物，帶數(shù)據(jù)穩(wěn)定后讀取.

探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之

間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距，四探針應(yīng)以

等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中

的規(guī)定。

R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R，)

計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中

查出修正因子F，也可以見(jiàn)GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因

子。 9.4計(jì)算幾何修正因子F，見(jiàn)式(4)。

對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100

μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平

頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對(duì)于薄層厚度不

小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形

操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

雙刀雙撐電位選擇開(kāi)關(guān)。.定。歐嬌表，能指示阻值高達(dá)10°日的漏電阻，溫度針

0℃-40℃，小刻度為0.1℃。

光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場(chǎng)及溫醒度等測(cè)試環(huán)境會(huì)影

響測(cè)試結(jié)果，

甲醇、99.5%，干燥氮?dú)狻y(cè)量?jī)x器探針系統(tǒng)操針為具

有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針，針實(shí)半徑分別為35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

電壓表輸入阻抗會(huì)引入測(cè)試誤差，硅片幾何形狀，表

面粘污等會(huì)影響測(cè)試結(jié)果，

R(TD-R_xF式中:

計(jì)算每一測(cè)量位置的平均電阻R.，見(jiàn)式(3).

試劑優(yōu)級(jí)純，純水，25℃時(shí)電阻率大于2MN.cm,

s=號(hào)(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..

計(jì)算每一測(cè)量位置在所測(cè)溫度時(shí)的薄層電阻(可根據(jù)薄

層電阻計(jì)算出對(duì)應(yīng)的電阻率并修正到23℃，具體見(jiàn)表4)

見(jiàn)式(5).

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上，試樣放置

的時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng)，到達(dá)熱平衡時(shí)，試樣溫度為23 ℃±1℃.

接通電流，令其任一方向?yàn)檎颍{(diào)節(jié)電流大小見(jiàn)表1測(cè)量范圍

    電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm

    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□

    電  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω

3.2  材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)決定和測(cè)試方式?jīng)Q定)直    徑：A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm，   方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm，    長(zhǎng)(高)度：測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,        測(cè)量方位: 軸向、徑向均可

3.3.  4-1/2 位數(shù)字電壓表：

    (1)量程： 20.00mV～2000mV

    (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字