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化工儀器網>產品展廳>常用儀表>電子儀表>電阻測試儀>BEST-300C 薄膜四探針測定儀

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BEST-300C 薄膜四探針測定儀

參考價 20000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協議為準

聯系方式:陳丹查看聯系方式

聯系我們時請說明是化工儀器網上看到的信息,謝謝!


北廣精儀公司簡介
北廣精儀公司是一家專業從事檢測儀器,自動化設備生產的企業。
“精細其表,*于內”是北廣精儀一慣秉承的原則。其*設計風格,制造技術和完善的服務體系,為科研機構、大專院校,企業和質檢測機構提供的產品和優質的服務。
北廣公司保持以發展與中國測試產業相適應的應用技術為主線,通過與產業界協調發展的方式提高本公司的競爭實力和技術含量。
與此同時,本公司堅持走"研發生產"相結合,借助國家工業研究院的論知識和強勁的科研實,在消化、吸收生產技術的基礎上,大膽創新、銳意改革、努創造,開發出具有中國特色的新產品,為提高中國的科研及產品質量作出了應有的貢獻。
經營理念:
 一、誠信待戶 顧客至上      全心全意為顧客考慮,使顧客能切身感受到人性化的儀器。
 二、檢測 保質保量      檢測是我們的責任 保質保量是我們對客戶的鄭重承諾
 三、技術領 創新理念    儲備流的開發人才,引進世界先技術,采用*設計理念,打造精良的檢測儀器。
北廣產品廣泛應用于國防、大專院校以及檢測所等行業,本公司以技術的創新為企業的發展方向,以新型實用的產品引導客戶的需求
北廣公司所供產品嚴格按照國家標準生產制造,嚴謹的制造環節確保每一臺出廠儀器質量和性能的,服務優質,質優價廉 確保您的放心 !

主要產品有:

萬能試驗機,                      塑料球壓痕硬度計

維卡熱變形試驗儀,                體積表面電阻率測試儀

耐壓試驗機,                    介電常數測試儀

海綿泡沫壓陷硬度測驗儀,          介質損耗測試儀

海綿泡沫落球回彈試驗機,          海綿泡沫拉伸強度試驗機

熔融指數儀,                      無轉子硫化儀

低溫脆性沖擊試驗儀                阿克隆磨耗試驗機

海綿泡沫切割機,                  啞鈴制樣機

海綿泡沫疲勞壓陷試驗機,          薄膜沖擊試驗機

電壓擊穿試驗儀,                  摩擦系數儀等等。

 

拉力機,體積表面電阻測試儀,電壓擊穿試驗機,TOC總有機碳,完整性測試儀,介電常數介質損耗測試儀等等

產地類別 國產 類型 數字式電阻測試儀
應用領域 能源,電子/電池,電氣

薄膜四探針測定儀使用條件:

(1)環境溫度:5-+40℃;

(2)環境相對溫度:80%以下:

(3)供電電源:220+22V50+1.5Hz;

(4)不應受到劇烈震動和機械沖擊;

(5)空氣中不應含有足以腐蝕儀器的灰塵和雜質;

(6)不應受強的電磁場干擾;

(7)通風條件良好。

薄膜四探針測定儀對仲裁測量,報告還應包括對探針狀況、電測裝置的精度、所測原始數據及處理結果。

接通電流,令其任一方向為正向,調節電流大小見表1所給出的某一合適值,測量并記錄所得數據。所有測試數據至少應取三位有效數字。改變電流方向,測量、記錄數據。關斷電

流,搶起探針裝置,對仲裁測量,探針間距為1.59mm,將樣品分別旋轉30°±5,重復8.4~~8.7的測量步驟,測5組數據,測量結果計算

將操針下降到試樣表面測試,使四探行針陣列的中心落在試樣中心1.00mm范圍內。

對于薄層厚度小于3um的試樣,選用針尖半徑為100um~250um的半球形探針或針尖率徑為50um~125pm平頭探針,針尖與試樣間壓力為0.3N~0.8Ni對于薄層厚度不小于3μ的試

樣,選用針尖半徑為35um~100pm半球形操針,針尖與試樣間壓力不大于0.3N.

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上,試樣放置的時間應足夠長,達到熱平衡時,試樣溫度為23℃±1℃.

測量條件和步驟整個測試過程應在無光照,無離頻和無振動下進行。

化學實驗室器具,如:期料燒杯,里杯和適用于酸和溶劑的涂期懼子等。試樣制備如試樣表面潔凈,符合測試條件可直接測試,否則,按下列步驟清洗試樣后測試:試樣在甲醇中源洗

1min。如必要,在甲醇中多次源洗,直到被干燥的試樣無污跡為止。將試樣干燥。放入氧氧酸中清洗1min。用純水洗凈。用甲醇源洗干凈,用氨氣吹干。

GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測量方法提要

下列文件中的條款通討本標準的引用商成為本標準的條。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內容)或修訂版均不用干本標準,然而,勵根據本標準達

成協議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件,其新版本適用于本標準。GB/T1552硅、儲單晶電阻率測定直排四探針法

本標準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電陰。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 um

的薄層,方塊電陰的測量范圍為10A~5000n該方法也可適用干更高或更低照值方塊電陰的測量,但其測量精確度尚未評估。

GB/T6617-1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法

GB/T1551-1995硅 鍺單晶電阻率測定直流兩探針法

GB/T1552-1995硅 鍺單晶電阻率測定直排四探針法

GB/T6617-2009硅片電阻率測定擴展電阻探針法

電源:220+10%50HZ/60HZ

顯示方式:液晶顯示

主機外形尺寸:330mm*340mm*120mm

誤差:±0.2%讀數±2字

量程:1uA,10μA,100μA,1mA,10mA,1000mA?

電流輸出:直流電流?0~1000mA?連續可調,由交流電源供電。

分辨率:0.1uV1uV10uV100uV

測量精度±(0.1%讀數)

測量電壓量程:?2mV?20mV?200mV?2V?

測量誤差±5%

分辨率: 最小1μΩ

電導率:5x10-6~1x108ms/cm

微信圖片_20230206130448.png




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