FIB-SEM-TOF-SIMS
- 公司名稱 上海磊微科學儀器有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產地
- 廠商性質 經銷商
- 更新時間 2022/10/23 15:03:54
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產地類別 | 國產 | 價格區間 | 面議 |
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儀器種類 | 聚焦離子束 | 應用領域 | 環保,化工,能源,電子/電池 |
FIB-SEM-TOF-SIMS電子顯微分析是材料和生命科學微觀分析中最 重要的一環,而元素分析是其中最重要的表征手段 之一,但標準的分析手段如能譜儀和波譜儀存在因 靈敏度不足、空間分辨率較差,無法進行輕元素、 微量元素的分析,無法分辨同位素等等問題,已不 能滿足應用發展的需求。
FIB-SEM-TOF-SIMS提供的解決方案是將飛行時間二次離 子質譜與FIB-SEM系統集成。這種組合能夠為用 戶提供固體材料的3D化學表征和分子信息,高離 子質量分辨率和高空間分辨率成像等,并可以進行 原位FIB深度分析。
飛行時間-二次離子質譜(TOF-SIMS)
TOF-SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)是具有高分辨率的質譜儀。 工作原理是用聚焦離子束照射樣品表面,從而在樣 品最上層的原子層激發出二次離子(SI),再根據 不同質量的二次離子飛行到探測器的時間不同來測 定離子質量。
與EDX相比,TOF-SIMS可以實現更好的橫向 和縱向分辨率,還可以識別并定量樣品表面層中存 在的元素和分子物質,以及具有類似標稱質量的同 位素和其他物質等。
具有超高靈敏度,可檢測從H開始的任意元 素,檢出限達ppm量級
• 優異的空間分辨率,橫向分辨率< 40 nm, 縱向分辨率< 3 nm
• 正負離子均可檢測,離子質量分辨率>800
• 2D和3D的快速、高離子質量分辨率和高 空間分辨率成像,可進行原位FIB深度剖析
• 通過精密控制的坐標轉移,保證不同儀器分 析位置的重合
• TESCAN所有型號的FIB-SEM均可配置 TOF-SIMS 系統
1.輕元素及微量元素分析:Li離子電池中LI+面分布分析。
2.通過低電壓和小束流FIB逐層減薄,成功區分出厚度為2.5 nm的摻有0-15% 的In元素的GaN層。
3.金屬復合材料中微量元素的晶界偏析測定,檢出限可達ppm級。
4.對鈾礦石進行初期的同位素分析,快速得到238U和235U的分布信息。