設備主要規格（Features）：
1.全自動操作模式；
2.Robot取放片；
3.適應于 6英寸-8英寸 Wafer；
4..冷卻方式包括水冷和氮氣吹掃；
5.MFC控制，3-5路制程氣體;
6.SEMI認證。
設備主要工藝應用（Application）：
快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；
離子注入/接觸退火；
高溫退火；
高溫擴散。
金屬合金；
熱氧化處理；
設備主要應用領域（Field）：
化合物半導體（砷化鎵、氮化物、碳化硅等）；
多晶硅；
太陽能電池片；
MEMS；
功率器件；
IC晶圓；
LED晶圓。
RTA：Rapid Thermal Annealing 快速熱退火。
RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速熱氧化，主要用于生長薄絕緣層。
RTN：Rapid Thermal Nitridation 快速熱氮化。
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