代換AOT410應用吸塵器mos管引腳封裝
AOT410采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝，還能顯著降低傳導、開關和柵極電荷損耗；并能兼容多種控制器，可實現不同的工作模式，支持主動相變換模式APS（Auto Phase Switching）。
AOT410除了QFN封裝外，雙邊扁平無引腳封裝（DFN）也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用，與QFN相比，DFN少了兩邊的引出電極。
AOT410除了外部封裝，基于電子制造對MOS管的需求的變化，內部封裝技術也在不斷得到改進，這主要從三個方面進行：改進封裝內部的互連技術、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導方向。

代換AOT410常見問題
AOT410MOS管失效的6大原因：1）雪崩失效（電壓失效）：也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOS管的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOS管失效。2）柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。3）靜電失效：在秋冬季節，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。4）諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。
體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。5）SOA失效（電流失效）：既超出MOS管安全工作區引起失效，分為ld超出器件規格失效以及ld過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
雪崩失效（電壓失效）：底什么是雪崩失效呢？簡單來說MOS管在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統電壓疊加在MOS管漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是MOS管漏源極的電壓超過其規定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。
雪崩破壞的預防措施：理降額使用。目前，行業內降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據公司保修條款和電路重點來選擇。理的變壓器反射電壓。理的RCD和TVS吸收電路設計。大電流接線盡量采用大、小布置，以減小接線寄生電感。
選擇一個合理的門電阻Rg.在大功率電源中，可以根據需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。
冊極電壓失效：造成柵極電壓異常高的主要原因有三：產、運輸、裝配過程中的靜電；電力系統運行中設備和電路寄生參數引起的高壓諧振；通過Gad傳檢到網

需要了解更多關于代換AOT410半導體-蘇州華鎂信息，請聯系我們的客戶經理！
華鎂用“芯”為您服務-代換AOT410半導體-蘇州華鎂