代換AON7264E應用70Vn mos管-華鎂工廠優勢

代換AON7264E多種工藝 多種規格
公司擁有中高壓平面 MOSFET，600V~1200V SJ MOSFET ，第三代Trench Mos和SGT MOS等工藝，并申請了相關證書。
中高壓平面 MOSFET 系列（40V-1500V）
》 新型的橫向變摻雜技術終端實現技術；
》 專有的功率MOS結構； 
已成功研發600V~1200V SJ MOSFET
》 采用多次外延工藝制作，與trench工藝相比，具有優異的抗EMI
及抗浪涌能力
》 采用電荷平衡理論的器件結構，Ronsp明顯下降
》 可集成快恢復二極管
Trench Mos產品
》 擁有完整的trench mos產品體系，電壓范圍從-100V~200V
SGT Mos產品
》 擁有30V、40V、60V、80V、100V的產品系列
》 在同等參數情況下，內阻更小，芯核產熱小，啟動更快
以上產品華鎂申請了多項證書，在鋰電池保護方面我們擁有5項證書，專注MOS管領域

代換AON7264E常見問題
1、AON7264Emos管小電流發熱的原因：
  1）電路設計的問題：就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態，這也是導致MOS管發熱的一個原因。
如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能*導通，P-MOS則相反。沒有*打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
  2）頻率太高：主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了。
  3）沒有做好足夠的散熱設計：電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。
  4）AON7264EMOS管的選型有誤：對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。

2、AON7264Emos管小電流發熱嚴重怎么解決：
做好MOS管的散熱設計，添加足夠多的輔助散熱片。
貼散熱膠。

3、AON7264EMOS管為什么可以防止電源反接？
電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我們就需要給電路中加入保護電路，達到即使接反電源，也不會損壞的目的。
一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時間大減。
MOS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計?，F在的MOS管可以做到幾個毫歐的內阻，假設是6.5毫歐，通過的電流為1A（這個電流已經很大了），在他上面的壓降只有6.5毫伏。
由于MOS管越來越便宜，所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了。

4、電池保護板MOS管放電過程中燒壞的原因
AON7264EMOS管燒壞的情況在焊接過程中有短路現象，放電過程中MOS管沒有*打開，處于關閉或半打開狀態，PCBA內阻變大，長時間大電流放電，發熱燒壞、燒糊。
生產組裝過程有靜電殘留，或在充放電過程中有外部異常電流／大電壓充放電過程導致MOS管被損壞、燒糊。
保護板MOS管燒壞處理方法：建議在焊接串線過程時先焊B4-線（因為靠近B2串的R19短路的風險大）然后在焊接B2串，這樣可以規避B2和B4短路引起的不良。
AON7264EMOS管燒壞防護措施：生產過程各環節做好ESD防護工作，焊接過程中特別是帶電崗位防止觸碰元器件或線路，建議在焊接串線過程中先焊B4再焊B2線。

5、超過GS或DS耐壓造成MOS擊穿
設計時要對GS和DS的耐壓有足夠的余量。不要太靠近臨界值，否則在實際應用中，電壓的波動或者溫度的變化可能會使電壓超過耐壓值而損壞MOS。

6、持續大電流造成熱擊穿
長時間的大電流，例如D8540NX一直以33A持續過電流，芯片的內核會逐漸升溫到170度以上，芯片的內核即可能會被擊穿。

7、瞬間高壓
尤其是配合電機使用時，當電機突然停止時，會產生瞬時的反向電壓，如果續流二極管不夠大，則可能會損傷MOS。

8、AON7264E瞬間短路電流
當短路瞬間電流超過了MOS的IDM，如果持續時間超過前述表9的邊界范圍，則有可能導致MOS瞬間擊穿。

9、AON7264EESD影響
冬天尤其要注意，ESD高發時，Ciss電容越小，越容易受到ESD的影響。

10、高頻開關損耗過大
高頻開關，尤其是調速或無刷應用時，MOS處于高頻開關狀態，如果驅動和MOS的開關速度沒有配合好，導致開關損耗過大，也同樣容易使MOS升溫導致損壞。

11、AON7264EGS驅動電壓不匹配
對于高開啟的MOS，卻使用5V，甚至3.3V的電源來驅動，或者驅動電阻分壓不當，例如滿電時GS分壓為10V，但接近空電時只有5V左右的電壓，導致MOS開啟不*，內阻成倍增加，通過電流時會快速產生熱量導致MOS燒壞。

12、AON7264EMOS 損壞主要原因：

過流 ---------- 持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；

過壓 ---------- 源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿；

靜電 ---------- 靜電擊穿，CMOS 電路都怕靜電；

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