代換FDD6035應用無線電風扇開關管mos封裝
FDD6035采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝，還能顯著降低傳導、開關和柵極電荷損耗；并能兼容多種控制器，可實現不同的工作模式，支持主動相變換模式APS（Auto Phase Switching）。
FDD6035除了QFN封裝外，雙邊扁平無引腳封裝（DFN）也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用，與QFN相比，DFN少了兩邊的引出電極。
FDD6035除了外部封裝，基于電子制造對MOS管的需求的變化，內部封裝技術也在不斷得到改進，這主要從三個方面進行：改進封裝內部的互連技術、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導方向。

代換FDD6035常見問題
FDD6035MOS 開關原理（簡要）。MOS 是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為 MOS 內阻，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了 MOS 芯片能承受的大導通電流（當然和其它因素有關，有關的是熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。
FDD6035MOS 問題遠沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變），所以 MOS 源級和漏級間由截止到導通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。
然而，這三個等效電容是構成串并聯組合關系，它們相互影響，并不是獨立的，如果獨立的就很簡單了。其中一個關鍵電容就是柵極和漏級間的電容 Cgd，這個電容業界稱為米勒電容。這個電容不是恒定的，隨柵極和漏級間電壓變化而迅速變化。這個米勒電容是柵極和源級電容充電的絆腳石，因為柵極給柵 - 源電容 Cgs 充電達到一個平臺后，柵極的充電電流必須給米勒電容 Cgd 充電，這時柵極和源級間電壓不再升高，達到一個平臺，這個是米勒平臺（米勒平臺就是給 Cgd 充電的過程），米勒平臺大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。（即，柵極先給 Cgs 充電，到達一定平臺后再給 Cgd 充電）
因為這個時候源級和漏級間電壓迅速變化，內部電容相應迅速充放電，這些電流脈沖會導致 MOS 寄生電感產生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成 2 個回路），并且電流脈沖越強頻率越高震蕩幅度越大。所以最關鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。
Gs 極加電容，減慢 MOS 管導通時間，有助于減小米勒振蕩。防止 MOS 管燒毀。

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