代換FDD8880應用5串生產mos管封裝
FDD8880封裝內部的互連技術
FDD8880TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內部互連封裝技術，當CPU或GPU供電發展到低電壓、大電流時代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結到PCB和外殼熱阻等因素的限制。

代換IRLR8726常見問題
IRLR8726皆振失效：功率MOS管并聯而不插入柵極電阻但直接連接時發生的柵極寄生振蕩。
漏源電壓在高速下反復接通和斷開時，這種寄生振蕩發生在由柵極漏極電容Cgd(Crss)和柵極pin電感Lg構成的諧振電路中。
建立共振條件（ωL=1/ωC)時，在柵極和源極之間施加遠大于驅動電壓Vgs(in)的振動電壓，柵極因超過柵極源額定電壓而損壞，漏源電壓開關時的振動電壓通過柵極漏極電容器Cgd和Vgs的重疊波形產生正反饋，可能引起故障引起振蕩破壞。
皆振失效預防措施：且力可以抑制由于阻尼引起的振蕩。然而，將一個小電阻串聯到柵極上并不能解決振蕩阻尼問題，主要原因是驅動電路的阻抗匹配和功率管開關時間的周整。

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