代換IRF3710應用藍牙耳機芯片mos管封裝
IRF3710四邊無引線扁平封裝（QFN）
IRF3710QFN（Quad Flat Non-leaded package）封裝四邊配置有電極接點，由于無引線，貼裝表現出面積比QFP小、高度比QFP低的特點；其中陶瓷QFN也稱為LCC（Leadless Chip Carriers），采用玻璃環氧樹脂印刷基板基材的低成本塑料QFN則稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC等。
IRF3710是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術。
IRF3710QFN主要用于集成電路封裝，MOSFET不會采用。不過因Intel提出整合驅動與MOSFET方案，而推出了采用QFN-56封裝（“56”指芯片背面有56個連接Pin）的DrMOS。
IRF3710需要說明的是，QFN封裝與超薄小外形封裝(TSSOP)具有相同的外引線配置，而其尺寸卻比TSSOP的小62%。根據QFN建模數據，其熱性能比TSSOP封裝提高了55%，電性能(電感和電容)比TSSOP封裝分別提高了60%和30%。大的缺點則是返修難度高。
IRF3710采用QFN-56封裝的DrMOS
IRF3710隨著技術的革新與進步，把驅動器和MOSFET整合在一起，構建多芯片模塊已經成為了現實，這種整合方式同時可以節省相當可觀的空間從而提升功耗密度，通過對驅動器和MOS管的優化提高電能效率和優質DC電流，這就是整合驅動IC的DrMOS。

代換IRF3710常見問題
IRF3710MOS管失效的6大原因：1）雪崩失效（電壓失效）：也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOS管的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOS管失效。2）柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。3）靜電失效：在秋冬季節，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。4）諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。
體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。5）SOA失效（電流失效）：既超出MOS管安全工作區引起失效，分為ld超出器件規格失效以及ld過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
雪崩失效（電壓失效）：底什么是雪崩失效呢？簡單來說MOS管在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統電壓疊加在MOS管漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是MOS管漏源極的電壓超過其規定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。
雪崩破壞的預防措施：理降額使用。目前，行業內降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據公司保修條款和電路重點來選擇。理的變壓器反射電壓。理的RCD和TVS吸收電路設計。大電流接線盡量采用大、小布置，以減小接線寄生電感。
選擇一個合理的門電阻Rg.在大功率電源中，可以根據需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。
冊極電壓失效：造成柵極電壓異常高的主要原因有三：產、運輸、裝配過程中的靜電；電力系統運行中設備和電路寄生參數引起的高壓諧振；通過Gad傳檢到網

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