代換IRF4905應用代步車mos開關管封裝
IRF4905SO-8內部封裝結構
IRF4905這四種限制對其電學和熱學性能有著極大的影響。隨著電流密度的提高，MOSFET廠商在采用SO-8尺寸規格時，同步對焊線互連形式進行了改進，用金屬帶、或金屬夾板代替焊線，以降低封裝電阻、電感和熱阻。
IRF4905增加漏極散熱板
IRF4905標準的SO-8封裝采用塑料將芯片包圍，低熱阻的熱傳導通路只是芯片到PCB的引腳。而底部緊貼PCB的塑料外殼是熱的不良導體，故而影響了漏極的散熱。
IRF4905技術改進就是要除去引線框下方的塑封化合物，方法是讓引線框金屬結構直接或加一層金屬板與PCB接觸，并焊接到PCB焊盤上，這樣就提供了更多的散熱接觸面積，把熱量從芯片上帶走；同時也可以制成更薄的器件。

代換IRF4905常見問題
過快的充電會導致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關從而增加開關損耗。MOS 開通過程源級和漏級間等效電阻相當于從無窮大電阻到阻值很小的導通內阻（導通內阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆）的一個轉變過程。
比如一個 MOS 大電流 100a，電池電壓 96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進入米勒平臺時）MOS 發熱功率是 P=V*I（此時電流已達大，負載尚未跑起來，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！這時它發熱功率大，然后發熱功率迅速降低直到*導通時功率變成 100*100*0.003=30w（這里假設這個 MOS 導通內阻 3 毫歐姆）。開關過程中這個發熱功率變化是驚人的。
如果開通時間慢，意味著發熱從 9600w 到 30w 過渡的慢，MOS 結溫會升高的厲害。所以開關越慢，結溫越高，容易燒 MOS。為了不燒 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓，比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v，這樣開關發熱損耗也降低了一半。不燒管子了。
這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開關損耗不一樣（開關損耗和電池端電壓基本成正比，假設限流一樣），導通損耗*受 MOS 內阻決定，和電池電壓沒任何關系。
其實整個 MOS 開通過程非常復雜。里面變量太多。總之就是開關慢不容易米勒震蕩，但開關損耗大，管子發熱大，開關速度快理論上開關損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很嚴重，可能在米勒平臺就燒管子了），反而開關損耗也大，并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導通，形成上下臂短路。
所以這個很考驗設計師的驅動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個平衡點（一般開通過程不超過 1us）。開通損耗這個簡單，只和導通電阻成正比，想大電流低損耗找內阻低的。

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