代換IRF540應(yīng)用移動電源n溝道m(xù)os管封裝
IRF540SO-8內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)
IRF540這四種限制對其電學(xué)和熱學(xué)性能有著極大的影響。隨著電流密度的提高，MOSFET廠商在采用SO-8尺寸規(guī)格時，同步對焊線互連形式進(jìn)行了改進(jìn)，用金屬帶、或金屬夾板代替焊線，以降低封裝電阻、電感和熱阻。
IRF540增加漏極散熱板
IRF540標(biāo)準(zhǔn)的SO-8封裝采用塑料將芯片包圍，低熱阻的熱傳導(dǎo)通路只是芯片到PCB的引腳。而底部緊貼PCB的塑料外殼是熱的不良導(dǎo)體，故而影響了漏極的散熱。
IRF540技術(shù)改進(jìn)就是要除去引線框下方的塑封化合物，方法是讓引線框金屬結(jié)構(gòu)直接或加一層金屬板與PCB接觸，并焊接到PCB焊盤上，這樣就提供了更多的散熱接觸面積，把熱量從芯片上帶走；同時也可以制成更薄的器件。

代換IRF540常見問題
IRF540靜電分析：靜電的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有電場，與地球有電位差；產(chǎn)生放電電流。這三種情況對電子元件有以下影響：亥元件吸收灰塵，改變線路之間的阻抗，影響元件的功能和壽命。于電場或電流的作用，元件的絕緣層和導(dǎo)體損壞，使元件不能工作（*損壞）。于電場的瞬時軟擊穿或電流過熱，元件受到損壞。雖然它還能工作，但它的生命受到了損害。
靜電失效預(yù)防措施：OS電路輸入端的保護(hù)二極管在通電時的電流容限為1毫安。當(dāng)可能出現(xiàn)過大的瞬時輸入電流（大于10mA)時，輸入保護(hù)電阻應(yīng)串聯(lián)。由于保護(hù)電路吸收的瞬時能量有限，過大的瞬時信號和過高的靜電電壓會使保護(hù)電路失效。在焊接過程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設(shè)備輸入端子泄漏。一般使用時，斷電后，可利用烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，其接地腳應(yīng)先焊好。

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