代換RU6099應(yīng)用10串mos晶體管封裝
RU6099四邊無引線扁平封裝（QFN）
RU6099QFN（Quad Flat Non-leaded package）封裝四邊配置有電極接點(diǎn)，由于無引線，貼裝表現(xiàn)出面積比QFP小、高度比QFP低的特點(diǎn)；其中陶瓷QFN也稱為LCC（Leadless Chip Carriers），采用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的低成本塑料QFN則稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC等。
RU6099是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術(shù)。
RU6099QFN主要用于集成電路封裝，MOSFET不會(huì)采用。不過因Intel提出整合驅(qū)動(dòng)與MOSFET方案，而推出了采用QFN-56封裝（“56”指芯片背面有56個(gè)連接Pin）的DrMOS。
RU6099需要說明的是，QFN封裝與超薄小外形封裝(TSSOP)具有相同的外引線配置，而其尺寸卻比TSSOP的小62%。根據(jù)QFN建模數(shù)據(jù)，其熱性能比TSSOP封裝提高了55%，電性能(電感和電容)比TSSOP封裝分別提高了60%和30%。大的缺點(diǎn)則是返修難度高。
RU6099采用QFN-56封裝的DrMOS
RU6099隨著技術(shù)的革新與進(jìn)步，把驅(qū)動(dòng)器和MOSFET整合在一起，構(gòu)建多芯片模塊已經(jīng)成為了現(xiàn)實(shí)，這種整合方式同時(shí)可以節(jié)省相當(dāng)可觀的空間從而提升功耗密度，通過對(duì)驅(qū)動(dòng)器和MOS管的優(yōu)化提高電能效率和優(yōu)質(zhì)DC電流，這就是整合驅(qū)動(dòng)IC的DrMOS

代換RU6099常見問題
RU6099MOS管失效的6大原因：1）雪崩失效（電壓失效）：也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOS管的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOS管失效。2）柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。3）靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。4）諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。
體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。5）SOA失效（電流失效）：既超出MOS管安全工作區(qū)引起失效，分為ld超出器件規(guī)格失效以及l(fā)d過大，損耗過高器件長時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。
雪崩失效（電壓失效）：底什么是雪崩失效呢？簡(jiǎn)單來說MOS管在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOS管漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是MOS管漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。
雪崩破壞的預(yù)防措施：理降額使用。目前，行業(yè)內(nèi)降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據(jù)公司保修條款和電路重點(diǎn)來選擇。理的變壓器反射電壓。理的RCD和TVS吸收電路設(shè)計(jì)。大電流接線盡量采用大、小布置，以減小接線寄生電感。
選擇一個(gè)合理的門電阻Rg.在大功率電源中，可以根據(jù)需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。
冊(cè)極電壓失效：造成柵極電壓異常高的主要原因有三：產(chǎn)、運(yùn)輸、裝配過程中的靜電；電力系統(tǒng)運(yùn)行中設(shè)備和電路寄生參數(shù)引起的高壓諧振；通過Gad傳檢到網(wǎng)

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