替代3080K應用滑板車p溝道mos管工藝
3080K1 ) 晶粒切割， Wafer Sawing.使用高速旋轉的切割刀，把晶圓上的晶粒切割分離開來.2) 晶粒黏貼， Die Attach.銀膠把晶粒黏貼到導線框架的預定位置上.3) 焊線， Wire Bond.在晶粒的焊點和引腳框架的引腳之間，焊接上金屬細線，建立晶粒電路與外部的連接.4）封塑， Molding.把黏有晶粒，熔好線的引腳樞架放置到壓鑄模具中，再把熔融的樹脂塑料壓入模中，把整個晶粒按封裝要求被包裹起來.5) 切割成型，Trim and Form.將引腳框架多余的連接材料切除掉，并根據產品的封裝形式，把引腳塑造成需要的形狀。6) 最終測試，Final Test.測試產品的性能是否符合要求.通過測試的產品被認為是合格產
3080K在Si基屏蔽柵溝槽低壓功率器件技術基礎上，討論了SGT MOSFET器件發展過程中的各種結構改進點及電學性能特點，簡述了SGT MOSFET器件研究的一些新進展，同時列舉了SGT MOSFET器件研究需要解決的問題，并對SGT MOSFET的未來發
展做了展望。

替代3080K常見問題
過快的充電會導致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關從而增加開關損耗。MOS 開通過程源級和漏級間等效電阻相當于從無窮大電阻到阻值很小的導通內阻（導通內阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆）的一個轉變過程。
比如一個 MOS 電流 100a，電池電壓 96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進入米勒平臺時）MOS 發熱功率是 P=V*I（此時電流已達大，負載尚未跑起來，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！這時它發熱功率大，然后發熱功率迅速降低直到*導通時功率變成 100*100*0.003=30w（這里假設這個 MOS 導通內阻 3 毫歐姆）。開關過程中這個發熱功率變化是驚人的。
如果開通時間慢，意味著發熱從 9600w 到 30w 過渡的慢，MOS 結溫會升高的厲害。所以開關越慢，結溫越高，容易燒 MOS。為了不燒 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓，比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v，這樣開關發熱損耗也降低了一半。不燒管子了。
這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開關損耗不一樣（開關損耗和電池端電壓基本成正比，假設限流一樣），導通損耗*受 MOS 內阻決定，和電池電壓沒任何關系。
其實整個 MOS 開通過程非常復雜。里面變量太多?？傊褪情_關慢不容易米勒震蕩，但開關損耗大，管子發熱大，開關速度快理論上開關損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很嚴重，可能在米勒平臺就燒管子了），反而開關損耗也大，并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導通，形成上下臂短路。
所以這個很考驗設計師的驅動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個平衡點（一般開通過程不超過 1us）。開通損耗這個簡單，只和導通電阻成正比，想大電流低損耗找內阻低的。


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續學習、進取創新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發經驗及50余個。
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替代3080K應用滑板車p溝道mos管封裝
3080K表面貼裝式封裝
3080K隨著技術的發展，目前主板、顯卡等的PCB板采用直插式封裝方式的越來越少，更多地選用了表面貼裝式封裝方式。
3080K1、雙列直插式封裝（DIP）
3080KDIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的芯片插座上，其派生方式為SDIP（Shrink DIP），即緊縮雙入線封裝，較DIP的針腳密度高6倍。
3080KDIP封裝結構形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結構式、陶瓷低熔玻璃封裝式）等。DIP封裝的特點是可以很方便地實現PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。
3080K但由于其封裝面積和厚度都比較大，而且引腳在插拔過程中很容易被損壞，可靠性較差；同時由于受工藝的影響，引腳一般都不超過100個，因此在電子產業高度集成化過程中，DIP封裝逐漸退出了歷史舞臺。
3080K2、晶體管外形封裝（TO）
3080K屬于早期的封裝規格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封裝設計。
3080KTO-3P/247：是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式，產品具有耐壓高、抗擊穿能力強等特點。
3080KTO-220/220F：TO-220F是全塑封裝，裝到散熱器上時不必加絕緣墊；TO-220帶金屬片與中間腳相連，裝散熱器時要加絕緣墊。這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多，可以互換使用。
3080KTO-251：該封裝產品主要是為了降低成本和縮小產品體積，主要應用于中壓大電流60A以下、高壓7N以下環境中。
3080KTO-92：該封裝只有低壓MOS管（電流10A以下、耐壓值60V以下）和高壓1N60/65在采用，目的是降低成本。
3080K近年來，由于插入式封裝工藝焊接成本高、散熱性能也不如貼片式產品，使得表面貼裝市場需求量不斷增大，也使得TO封裝發展到表面貼裝式封裝。TO-252（又稱之為D-PAK）和TO-263（D2PAK）就是表面貼裝封裝。



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