替代AOD403應用手電鉆大電流mos管工藝
AOD403在國內，雖然有不少公司已經涉及該領域，并有Trench MOSFET問世，特別是在低壓低功率方面。但有關Trench MOS的研究和制作畢竟還處于剛剛起步的狀態，許多技術和工藝還是空白，研究和制作Trench MOS是很有意義的。
ESD保護柵結構的功率 MOSFET 發展現狀：低壓溝槽MOSFET器件通常被當做電機驅動，同步整流等方面的電壓驅動功
率開關使用，其工作方式不同于一般電路的工作情況，器件既要防止靜電造成柵氧化層的擊穿，同時還要防止應用系統產生的過電壓施加到功率MOSFET的柵極上，帶來功率器件的損壞。因此，功率MOSFET的器件設計，除了要考慮器件的抗雪崩能力之外，還需努力提高功率MOSFET的抗靜電能力和抗過電壓能力。
AOD403VV MOSFET 是一個商業化功率 MOSFET，VV MOSFET 是利用 V 型槽來實現垂直導電，當 Vgs 大于 0 時，在 V 型槽外壁與硅表面接觸的地方形成一個電場，P 區時 N+區域的電子受到吸引，當 Vgs 足夠大時，就會形成 N 型導電溝道，使漏、源極之間有電流流過；VV MOSFET 特點：VV MOSFET 不僅繼承了 LD MOSFET 輸入阻抗高、驅動電流小、還具有耐壓高（高可耐壓 1200V）、工作電流大（1.5A~100A）、跨導線性好、開關速度快等優良特性；但因 VV MOSFET 是利用各向異性原理濕法腐蝕形成溝槽結構，其工藝穩定性不佳且存在端放電的問題，所以目前使用較少。 VV MOSFET 主要應用在電壓放大器、功率放大器、開關電源和逆變器中。

例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續學習、進取創新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發經驗及50余個。
華鎂研發總部設在中國臺灣新竹科學工業園區（302 新竹縣竹北市），國內研發和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代AOD403應用手電鉆大電流mos管封裝
AOD403采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝，還能顯著降低傳導、開關和柵極電荷損耗；并能兼容多種控制器，可實現不同的工作模式，支持主動相變換模式APS（Auto Phase Switching）。
AOD403除了QFN封裝外，雙邊扁平無引腳封裝（DFN）也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用，與QFN相比，DFN少了兩邊的引出電極。
AOD403除了外部封裝，基于電子制造對MOS管的需求的變化，內部封裝技術也在不斷得到改進，這主要從三個方面進行：改進封裝內部的互連技術、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導方向。



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