替代AON6554國產mos管工藝
AON6554屏蔽柵 MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET，縮寫 SGT-MOSFET）功率器件是一種基于傳統溝槽式 MOSFET（U-MOSFET）的一種改進型的溝槽式功率 MOSFET。相比于傳統 U-MOSFET 功率器件，它的開關速度更快，開關損耗更低，具有更好的器件性能。對于 SGT-MOSFET 功率器件，溝槽底部的形貌對器件性能都有非常重要的影響。當 SGT-MOSFET 功率器件溝槽底部氧化膜出現空洞時，器件 IDSS（漏源短路電流）將增大。SGT-MOSFET 功率器件相比傳統 U-MOSFET 功率器件的溝槽深度大大加深了，以往的溝槽清洗干燥工藝，溝槽底部易有水漬殘留。水漬會導致底部氧化膜生長異常，產生空洞。調整溝槽清洗干燥工藝，晶圓在清洗干燥過程中，將晶圓脫離去離子水水面的速度降低，即可實現晶圓的充分干燥，擺脫水漬殘留。
AON6554在功率金氧半場效晶體管(powermetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，powermosfet)器件的制造過程中，在硅襯底上形成硅氧化物層后，需要分別進行硅氧化物層的刻蝕和硅襯底的刻蝕，在硅襯底上形成溝槽。


替代AON6554常見問題
AON6554靜電分析：靜電的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有電場，與地球有電位差；產生放電電流。這三種情況對電子元件有以下影響：亥元件吸收灰塵，改變線路之間的阻抗，影響元件的功能和壽命。于電場或電流的作用，元件的絕緣層和導體損壞，使元件不能工作（*損壞）。于電場的瞬時軟擊穿或電流過熱，元件受到損壞。雖然它還能工作，但它的生命受到了損害。
靜電失效預防措施：OS電路輸入端的保護二極管在通電時的電流容限為1毫安。當可能出現過大的瞬時輸入電流（大于10mA)時，輸入保護電阻應串聯。由于保護電路吸收的瞬時能量有限，過大的瞬時信號和過高的靜電電壓會使保護電路失效。在焊接過程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設備輸入端子泄漏。一般使用時，斷電后，可利用烙鐵的余熱進行焊接，其接地腳應先焊好。


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續學習、進取創新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發經驗及50余個。
華鎂研發總部設在中國臺灣新竹科學工業園區（302 新竹縣竹北市），國內研發和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代AON6554國產mos管封裝
AON6554SO-8內部封裝結構
AON6554這四種限制對其電學和熱學性能有著極大的影響。隨著電流密度的提高，MOSFET廠商在采用SO-8尺寸規格時，同步對焊線互連形式進行了改進，用金屬帶、或金屬夾板代替焊線，以降低封裝電阻、電感和熱阻。
AON6554增加漏極散熱板
AON6554標準的SO-8封裝采用塑料將芯片包圍，低熱阻的熱傳導通路只是芯片到PCB的引腳。而底部緊貼PCB的塑料外殼是熱的不良導體，故而影響了漏極的散熱。
AON6554技術改進就是要除去引線框下方的塑封化合物，方法是讓引線框金屬結構直接或加一層金屬板與PCB接觸，并焊接到PCB焊盤上，這樣就提供了更多的散熱接觸面積，把熱量從芯片上帶走；同時也可以制成更薄的器件。



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