替代AON6566應用13串國產mos管工藝
AON6566由于硅氧化物層和硅襯底的刻蝕速率不同，且需要刻蝕的厚度也不相同，因此硅氧化物層的刻蝕步驟在轟擊能力比較強的電容耦合等離子體(capacitivelycoupledplasma，ccp)刻蝕設備中進行，硅襯底的刻蝕步驟在轟擊能力比較弱，等離子體損傷比較小的電感耦合等離子體(inductivelycoupledplasma，icp)刻蝕機中進行。
由于硅氧化物層和硅襯底的刻蝕步驟需要在不同的刻蝕設備中完成，因此工藝較為復雜，制造效率較低。
半導體產品從開始生產到完成制造，主要有兩道加工工藝，分別被稱為前道生產和后道生產。MOSFET 雖然是一種結構比較簡單的半導體器件，但是也同樣需要通過這兩道生產加工工藝.
AON6566得益于在15V~200V低壓領域的優異特性，業界對SGT MOSFET的研究在不斷深入，目前SGTMOSFET在結構和特性方面的一些研究成果。采用NP交替摻雜代替單一的N型摻雜的多晶硅屏蔽柵極 SGT MOSFET被提出凹，通過在屏蔽柵極中引入PN結多晶二極管或者NPN多晶三極管結構，由PN結電容串聯效應減小源漏電容Cps,即降低了輸出電容Coss和與之相應的功耗Eoss,減小了器件開關過程中的能量損耗。SGTMOSFET NP交替摻雜屏蔽柵極（SSGT)與常規屏蔽柵極結構（SGT)隨Vds變化下Coss和Eoss曲線比較高溫反偏實驗（HTRB)被廣泛于功率器件結的可靠性測試和邊緣終端魯棒性的驗證，其中包括BVDSS不穩定性和漏、源漏電流IDSS的增大。JifaHao等人發現傳統的HTRB可靠性測試應力水平太低，無法達到SGT MOSFET的雪崩條件，不能捕獲其BVDSS不穩定性現象。通過直流常數雪崩電流在SGT MOSFET器件漏的注入，可以測量到常溫和高溫下SGT MOSFET的BVDSS漂移，漂移量與注入雪崩電流的大小正相關，且隨著溫度的升高而增大12).通過雪崩電流注入可以測量到SGTMOSFET BVDSS漂移的機理在于：SGT漂移區是在反向耐壓時時嚴格的電荷平衡狀態，持續的電流注入應力使得空穴被注入到SGT MSOFET的屏蔽柵氧化物中，破壞了漂移區的電荷平衡，引起了BVDSS的walk-in或walk-out現象。

例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續學習、進取創新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發經驗及50余個。
華鎂研發總部設在中國臺灣新竹科學工業園區（302 新竹縣竹北市），國內研發和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代AON6566應用13串國產mos管封裝
AON6566插入式封裝
AON6566表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。



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