替代AON6590應用無人機場效應管工藝
AON6590由于溝槽側壁晶向（110）與溝槽底面的晶向（100）不同、硅原子密度不同，若采用傳統的爐管熱氧方法來完成溝槽內壁的氧化層生長，將會導致溝槽底面弧形區域的氧化膜偏薄，從而在器件工作時出現溝槽底部電場集中，更容易被擊穿。本工藝為達到溝槽側壁氧化層厚度均一，溝槽底部氧化層的主體部分是由低壓化學氣相淀積（CVD）方法生長的。該方法有良好的表層覆蓋性，可達到溝槽側壁、底面氧化層厚度均一的目的。
AON6590溝槽功率MOSFET作為一種新型垂直結構器件,擁有開關速度快、頻率性能好、輸入阻抗高、驅動功率小、溫度特性好、無二次擊穿問題等優點,已經在穩壓器、電源管理模塊、機電控制、顯示控制、汽車電子等領域得到了廣泛的應用。柵極工藝是MOSFET器件制造中最核心的步驟,因此柵極工藝的優化對溝槽MOSFET器件性能和產品良率的提升具有重要的意義。論文共包括三個部分,首先闡述了溝槽MOSFET柵極制造工藝,然后分別從柵極氧化工藝和多晶硅柵淀積摻雜工藝出發進行實驗設計,優化工藝,改善器件性能。 溝槽MOSFET制造流程和柵極工藝介紹：介紹了溝槽功率MOSFET的制造流程,說明了柵極氧化工藝和多晶硅柵淀積摻雜工藝原理和設備,最后闡述了溝槽MOSFET的重要電學參數及其物理意義。 溝槽MOSFET柵極犧牲氧化工藝優化研究：研究了犧牲氧化工藝溫度、氧化層厚度對溝槽MOSFET器件擊穿電壓、柵極泄漏電流和可靠性的影響。


替代AON6590常見問題
AON6590MOS管失效的6大原因：1）雪崩失效（電壓失效）：也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOS管的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOS管失效。2）柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。3）靜電失效：在秋冬季節，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。4）諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。
體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。5）SOA失效（電流失效）：既超出MOS管安全工作區引起失效，分為ld超出器件規格失效以及ld過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
雪崩失效（電壓失效）：底什么是雪崩失效呢？簡單來說MOS管在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統電壓疊加在MOS管漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是MOS管漏源極的電壓超過其規定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。
雪崩破壞的預防措施：理降額使用。目前，行業內降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據公司保修條款和電路重點來選擇。理的變壓器反射電壓。理的RCD和TVS吸收電路設計。大電流接線盡量采用大、小布置，以減小接線寄生電感。
選擇一個合理的門電阻Rg.在大功率電源中，可以根據需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。
冊極電壓失效：造成柵極電壓異常高的主要原因有三：產、運輸、裝配過程中的靜電；電力系統運行中設備和電路寄生參數引起的高壓諧振；通過Gad傳檢到網


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續學習、進取創新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發經驗及50余個。
華鎂研發總部設在中國臺灣新竹科學工業園區（302 新竹縣竹北市），國內研發和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代AON6590應用無人機場效應管封裝
AON6590有些電子系統受制于PCB的尺寸和內部的高度，如通信系統的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設計或由于外殼的限制，適于裝配TO220封裝的功率MOS管，此時引腳可直接插到根部，而不適于使用TO247封裝的產品；也有些超薄設計需要將器件管腳折彎平放，這會加大MOS管選用的復雜度。

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