替代AON7242應用平衡車p溝道mos管工藝
AON7242VV MOSFET 是一個商業化功率 MOSFET，VV MOSFET 是利用 V 型槽來實現垂直導電，當 Vgs 大于 0 時，在 V 型槽外壁與硅表面接觸的地方形成一個電場，P 區時 N+區域的電子受到吸引，當 Vgs 足夠大時，就會形成 N 型導電溝道，使漏、源極之間有電流流過；VV MOSFET 特點：VV MOSFET 不僅繼承了 LD MOSFET 輸入阻抗高、驅動電流小、還具有耐壓高（高可耐壓 1200V）、工作電流大（1.5A~100A）、跨導線性好、開關速度快等優良特性；但因 VV MOSFET 是利用各向異性原理濕法腐蝕形成溝槽結構，其工藝穩定性不佳且存在端放電的問題，所以目前使用較少。 VV MOSFET 主要應用在電壓放大器、功率放大器、開關電源和逆變器中。
AON7242微電子封裝的范圍涉及從半導體芯片到整機，在這些系統中，生產電子設備包括 6 個層次，也即裝配的 6 個階段。我們從電子封裝工程的角度，按習慣一般稱層次 1 為零級封裝；層次2 為一級封裝；層次 3 為二級封裝；層次 4、5、6 為三級封裝。

替代AON7242常見問題
AON7242皆振失效：功率MOS管并聯而不插入柵極電阻但直接連接時發生的柵極寄生振蕩。
漏源電壓在高速下反復接通和斷開時，這種寄生振蕩發生在由柵極漏極電容Cgd(Crss)和柵極pin電感Lg構成的諧振電路中。
建立共振條件（ωL=1/ωC)時，在柵極和源極之間施加遠大于驅動電壓Vgs(in)的振動電壓，柵極因超過柵極源額定電壓而損壞，漏源電壓開關時的振動電壓通過柵極漏極電容器Cgd和Vgs的重疊波形產生正反饋，可能引起故障引起振蕩破壞。
皆振失效預防措施：且力可以抑制由于阻尼引起的振蕩。然而，將一個小電阻串聯到柵極上并不能解決振蕩阻尼問題，主要原因是驅動電路的阻抗匹配和功率管開關時間的周整。


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
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替代AON7242應用平衡車p溝道mos管封裝
AON7242封裝內部的互連技術
AON7242TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內部互連封裝技術，當CPU或GPU供電發展到低電壓、大電流時代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結到PCB和外殼熱阻等因素的限制。



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