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替代AON7264E-半導(dǎo)體mos管廠家

參考價(jià) 1000
訂貨量 ≥1個(gè)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
產(chǎn)品標(biāo)簽

mos管替代AON7264E15-35-70-46-070

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華鎂公司為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù),已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動芯片),產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。

華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊(duì)合作理念,并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè),期許華鎂產(chǎn)品能滿足客戶多方面的要求,讓華鎂能為電子產(chǎn)品的開發(fā)盡一份努力

華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市,國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。


MOS管,中低壓MOS管,MOSFET,場效應(yīng)管

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,電氣
通道類型 N VX 15-35-70-46-070

替代AON7264E應(yīng)用平衡車mos管廠家工藝
AON7264ELD MOSFET 特點(diǎn):制造工藝簡單、具有低結(jié)電容,因此開關(guān)速度快;但該工藝 MOSFET 因不能充分應(yīng)用硅片尺寸,電流和電壓的額定值受到限制,功率等級小;一般主要適合低壓場合應(yīng)用,如微處理器、運(yùn)放、數(shù)字電路及射頻電路。因LD MOSFET 的功率處理能力低下促使垂直導(dǎo)電型 V MOSFET 的出現(xiàn),VMOSFET 分為 VV MOSFET 和 VU MOSFET 兩種結(jié)構(gòu)。
AON7264ESGT MOSFET 廣泛用于同步整流,BMS,電機(jī)驅(qū)動,UPS 等 SGT 產(chǎn)品目前主要集中在 BVDSS≤100V,RDSON≤12mΩ
Trench MOSFET的基本結(jié)構(gòu):Trench MOS結(jié)構(gòu)早在80年代初就被提了出來,Trench MOSFET的發(fā)展是圍繞更高的原胞密度、更低的導(dǎo)通電阻、更可靠的結(jié)構(gòu)和更簡化的工藝展開的??梢奣rench MOSFET同VDMOS一樣,是縱向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu),但Trench MOSFET同時(shí)還是縱向溝道,這種結(jié)構(gòu)不僅使Trench MOS消除了VDMOS導(dǎo)通電阻中的寄生JFET電阻這部分,還充分利用了圓片空間,使Trench MOS的原胞面積可以做的非常小,從而帶來更大的電流和更小的導(dǎo)通電阻。Trench MOSFET的單胞結(jié)構(gòu)圖,可見其由如下幾個(gè)關(guān)鍵部分組成:N型高摻雜濃度的襯底,作為MOSFET的漏極;低摻雜濃度的N型外延層構(gòu)成漂移區(qū);溝道區(qū)摻雜有P型雜質(zhì)硼;多晶硅柵極做在Trench槽內(nèi),并使用柵氧化層將柵極和體硅分開;源區(qū)采用高濃度的磷或砷注入,并于溝道區(qū)相短接,通過金屬引出作為源極。


替代AON7264E常見問題



鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下,MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài),不用考慮MOS的開關(guān)速度,會在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn):
1,注意DS電壓,設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2,注意工作電流與保護(hù)電流,經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3,多顆MOS并聯(lián),電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4,走大電流的方案,要綜合考慮封裝散熱,內(nèi)阻。
5,驅(qū)動電壓要了解,盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài),對于單片機(jī)驅(qū)動的方案,盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型,BVDDS ,ID導(dǎo)通電流,VGS(th),RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

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公司介紹

華鎂公司,為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù),已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動芯片),產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念,并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市,國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AON7264E應(yīng)用平衡車mos管廠家封裝
AON7264E小外形晶體管封裝(SOT)
AON7264ESOT(Small Out-Line Transistor)是貼片型小功率晶體管封裝,主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25(即SOT23-5)等,又衍生出SOT323、SOT363/SOT26(即SOT23-6)等類型,體積比TO封裝小。



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