替代AON7444-半導體大功率mos管
參考價 | ¥ 1000 |
訂貨量 | ≥1個 |
- 公司名稱 蘇州華鎂憶芯半導體有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產地
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2022/4/21 9:44:26
- 訪問次數 184
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產地類別 | 國產 | 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,電氣 |
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通道類型 | N | VX | 15-35-70-46-070 |
替代AON7444應用9串大功率mos管工藝
AON7444硅柵P型溝道MOS管制作工藝流程:硅柵P型溝道MOS管的工藝流程如圖1-7所示,其工藝流程中相應結構剖面。
AON7444晶圓在 MMD 干燥后進行缺陷檢查,缺陷分布如圖 11。原干燥條件作業(yè)的第 25 枚缺陷較多,惡化實驗第 14、22 枚晶圓明顯缺陷更多,而第 2、23 枚晶圓做改善實驗,缺陷數量要明顯偏少。受檢查缺陷機臺能力影響,檢查到的缺陷都是晶片表面的,溝槽內的缺陷檢查不到。但該缺陷圖也能說明整體趨勢。
替代AON7444常見問題
過快的充電會導致激烈的米勒震蕩,但過慢的充電雖減小了震蕩,但會延長開關從而增加開關損耗。MOS 開通過程源級和漏級間等效電阻相當于從無窮大電阻到阻值很小的導通內阻(導通內阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆)的一個轉變過程。
比如一個 MOS 大電流 100a,電池電壓 96v,在開通過程中,有那么一瞬間(剛進入米勒平臺時)MOS 發(fā)熱功率是 P=V*I(此時電流已達大,負載尚未跑起來,所有的功率都降落在 MOS 管上),P=96*100=9600w!這時它發(fā)熱功率大,然后發(fā)熱功率迅速降低直到*導通時功率變成 100*100*0.003=30w(這里假設這個 MOS 導通內阻 3 毫歐姆)。開關過程中這個發(fā)熱功率變化是驚人的。
如果開通時間慢,意味著發(fā)熱從 9600w 到 30w 過渡的慢,MOS 結溫會升高的厲害。所以開關越慢,結溫越高,容易燒 MOS。為了不燒 MOS,只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓,比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v,這樣開關發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。
這也是高壓控容易燒管子原因,高壓控制器和低壓的只有開關損耗不一樣(開關損耗和電池端電壓基本成正比,假設限流一樣),導通損耗*受 MOS 內阻決定,和電池電壓沒任何關系。
其實整個 MOS 開通過程非常復雜。里面變量太多。總之就是開關慢不容易米勒震蕩,但開關損耗大,管子發(fā)熱大,開關速度快理論上開關損耗低(只要能有效抑制米勒震蕩),但是往往米勒震蕩很厲害(如果米勒震蕩很嚴重,可能在米勒平臺就燒管子了),反而開關損耗也大,并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導通,形成上下臂短路。
所以這個很考驗設計師的驅動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個平衡點(一般開通過程不超過 1us)。開通損耗這個簡單,只和導通電阻成正比,想大電流低損耗找內阻低的。
例
鋰電池保護板做充放電開關使用
一般情況下,MOS都處于開或關的狀態(tài),不用考慮MOS的開關速度,會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點:
1,注意DS電壓,設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2,注意工作電流與保護電流,經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3,多顆MOS并聯,電流的余量盡量再大一點。
4,走大電流的方案,要綜合考慮封裝散熱,內阻。
5,驅動電壓要了解,盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài),對于單片機驅動的方案,盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型,BVDDS ,ID導通電流,VGS(th),RDSON這幾項參數。
公司介紹
華鎂公司,為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務,已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護和控制驅動芯片),產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業(yè)應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念,并已累積15年以上的產品開發(fā)經驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國內研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市,國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。
替代AON7444應用9串大功率mos管封裝
AON7444封裝內部的互連技術
AON7444TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內部互連封裝技術,當CPU或GPU供電發(fā)展到低電壓、大電流時代,焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結到PCB和外殼熱阻等因素的限制。
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