替代AON7446應用17串mos管廠家工藝
AON7446SGT-MOSFET 與 U-MOSFET 器件結構不同之處在其深溝槽的柵結構上。U-MOSFET 溝槽結構僅有一個多晶硅的控制柵電極;SGT-MOSFET 的溝槽結構由兩個多晶硅部分組成：上半部分是控制柵電極，下半部分是屏蔽電極，如圖 2 所示。屏蔽電極位于柵電極下方。柵電極通過柵電極絕緣介質層絕緣，屏蔽電極則通過屏蔽電極絕緣介質層絕緣，但屏蔽電極絕緣介質層的厚度要厚于柵電極絕緣介質層。此外柵電極和屏蔽電極之間通過中間介質層絕緣。
AON7446trenchmos是在vdmos(垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管)的基礎上發展起來的，和vdmos相比，trenchmos具有更低的導通電阻和柵漏電荷密度，因此具有更低的導通和開關損耗和更快的開關速度。


替代AON7446常見問題
AON7446本二級管故障：不同的拓撲和電路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個重要因素。由于二極管本身是寄生參數，因此很難區分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過結合自身電路來分析。


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續學習、進取創新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發經驗及50余個。
華鎂研發總部設在中國臺灣新竹科學工業園區（302 新竹縣竹北市），國內研發和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代AON7446應用17串mos管廠家封裝
AON7446插針網格陣列封裝（PGA）
AON7446PGA（Pin Grid Array Package）芯片內外有多個方陣形的插針，每個方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列，根據管腳數目的多少，可以圍成2～5圈。安裝時，將芯片插入專門的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的優勢，能適應更高的頻率。



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