替代AON7516應(yīng)用藍(lán)牙耳機(jī)碳化硅mos管工藝
AON7516封裝最基本的功能是保護(hù)電路芯片免受周圍環(huán)境的影響（包括物理、化學(xué)的影響）。所以，在最初的微電子封裝中，是用金屬罐（Metal Can）作為外殼，用與外界*隔離的、氣密的方法，來保護(hù)脆弱的電子元件。但是，隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，尤其是芯片鈍化層技術(shù)的不斷改進(jìn)，封裝的功能也在慢慢異化。一般來說顧客所需要的并不是芯片，而是由芯片和 PKG 構(gòu)成的半導(dǎo)體器件。PKG 是半導(dǎo)體器件的外緣，是芯片與實(shí)裝基板間的界面。因此無論 PKG 的形式如何，封裝最主要的功能
應(yīng)是芯片電氣特性的保持功能。
AON7516LD MOSFET 柵極、源極、漏極都在硅片的上表面，下部為襯底，當(dāng) Gate 處于適當(dāng)正電位時，其二氧化硅層下面的晶體表面區(qū)由 P 型變?yōu)?N 型（反型層），形成 N 型橫向?qū)щ姕系溃娏鲝穆O流向源極。為提高功率能力，要求有很高的溝道寬長比 W/L，而平面水平溝道 L 不能太小，所以只能增大芯片面積，因而該工藝 MOSFET 一直停留在幾十伏電壓，幾十毫安電流的水平。


替代AON7516常見問題
過快的充電會導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。MOS 開通過程源級和漏級間等效電阻相當(dāng)于從無窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆）的一個轉(zhuǎn)變過程。
比如一個 MOS 大電流 100a，電池電壓 96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進(jìn)入米勒平臺時）MOS 發(fā)熱功率是 P=V*I（此時電流已達(dá)大，負(fù)載尚未跑起來，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！這時它發(fā)熱功率大，然后發(fā)熱功率迅速降低直到*導(dǎo)通時功率變成 100*100*0.003=30w（這里假設(shè)這個 MOS 導(dǎo)通內(nèi)阻 3 毫歐姆）。開關(guān)過程中這個發(fā)熱功率變化是驚人的。
如果開通時間慢，意味著發(fā)熱從 9600w 到 30w 過渡的慢，MOS 結(jié)溫會升高的厲害。所以開關(guān)越慢，結(jié)溫越高，容易燒 MOS。為了不燒 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓，比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v，這樣開關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。
這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開關(guān)損耗不一樣（開關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比，假設(shè)限流一樣），導(dǎo)通損耗*受 MOS 內(nèi)阻決定，和電池電壓沒任何關(guān)系。
其實(shí)整個 MOS 開通過程非常復(fù)雜。里面變量太多。總之就是開關(guān)慢不容易米勒震蕩，但開關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開關(guān)速度快理論上開關(guān)損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很嚴(yán)重，可能在米勒平臺就燒管子了），反而開關(guān)損耗也大，并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導(dǎo)通，形成上下臂短路。
所以這個很考驗(yàn)設(shè)計(jì)師的驅(qū)動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個平衡點(diǎn)（一般開通過程不超過 1us）。開通損耗這個簡單，只和導(dǎo)通電阻成正比，想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AON7516應(yīng)用藍(lán)牙耳機(jī)碳化硅mos管封裝
AON7516小外形晶體管封裝（SOT）
AON7516SOT（Small Out-Line Transistor）是貼片型小功率晶體管封裝，主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25（即SOT23-5）等，又衍生出SOT323、SOT363/SOT26（即SOT23-6）等類型，體積比TO封裝小。



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