替代AON7534應用7串n溝道mos管工藝
AON7534VD MOSFET 的柵極結構為平面式，當 Vgs 足夠大時，兩個源極之間會形成N 型導電溝道，使漏源極之間有電流流過。柵極和源極在硅片的上表面，而漏極連接到襯底的下表面，源極和漏極在晶圓的相對平面，當電流從漏極流向源極時電流在硅片內部垂直流動，因此可以充分應用硅片的面積，來提高通過電流的能力，適用于功率 MOSFET 的應用。N 溝道 MOSFET 襯底為高摻雜的 N+襯底，高摻雜部分的體電阻小，然后上面為 N-epi 層，上面有兩個連續的擴散區 P-，溝道在 P-區形成，在 P-區內部擴散形成 N+為源極，硅片表面形成柵極氧化物，多晶硅柵極材料沉積后，在連接到柵極的多晶硅層下面，就形成一個薄的高質量氧化層從而產生溝道。
AON7534溝槽式柵極 MOSFET 是將 VD MOSFT 中的“T”導電通路縮短為兩條平行的垂直型導電通路，從而降低通態電阻。U 型溝槽為平面型演變，切開翻轉 90 度，柵結構不與螺片表面平行而是構建在溝道之中垂直于表面，因此占用空間較少且使電流流動真正垂直，最小化基本單元面積，在相同的站位空間中可以集成更多的單元從而降低 Rdson，并維持電容不變。Trench MOSFET 制作工藝是采用 RIE挖深槽，再用多晶硅填充柵極。


替代AON7534常見問題
AON7534OA失效（電流失效）：導體光放大器（SOA)失效是指在電源工作過程中，由于MOS管上同時疊加了異常大的電流和電壓而引起的損傷模式。或者，芯片、散熱器和封裝不能時達到熱平衡，導致熱量積聚，并且連續熱產生導致溫度超過由于熱擊穿模式而導致的氧化物層的極限。
OA失效的預防措施：確保在最壞的情況下，MOS管的所有功率限制都在SOA限制線之內；OCP功能必須精確、詳細。
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例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續學習、進取創新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發經驗及50余個。
華鎂研發總部設在中國臺灣新竹科學工業園區（302 新竹縣竹北市），國內研發和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代AON7534應用7串n溝道mos管封裝
AON7534SOT封裝類型
AON7534SOT23是常用的三極管封裝形式，有3條翼形引腳，分別為集電極、發射極和基極，分別列于元件長邊兩側，其中，發射極和基極在同一側，常見于小功率晶體管、場效應管和帶電阻網絡的復合晶體管，強度好，但可焊性差。
AON7534SOT89具有3條短引腳，分布在晶體管的一側，另外一側為金屬散熱片，與基極相連，以增加散熱能力，常見于硅功率表面組裝晶體管，適用于較高功率的場合。
AON7534SOT143具有4條翼形短引腳，從兩側引出，引腳中寬度偏大的一端為集電極，這類封裝常見于高頻晶體管，外形如下圖(c)所示。
AON7534SOT252屬于大功率晶體管，3條引腳從一側引出，中間一條引腳較短，為集電極，與另一端較大的引腳相連，該引腳為散熱作用的銅片。
AON7534常見SOT封裝外形比較：主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。
AON7534SOT-89 MOSFET尺寸規格（單位：mm）



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